导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V5Si2B4W5

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3208824 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
V5Si2B4W5
MP-ID
mp-3208824
元素数
4
位点数
16
密度
11.2127
g/cm³
体积
188.57
ų
晶胞参数 a
6.8554
Å
晶胞参数 b
6.8554
Å
晶胞参数 c
6.8596
Å
α 角
129.16
°
β 角
129.16
°
γ 角
74.96
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.60021
eV/atom
能量/原子
-23.98895
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-23.9890
eV/atom
体积/原子
11.79
ų
c/a 比
1.0006

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0001
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.313
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.688
间隙分数
0.375
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3335
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0865
J/mol·K
Ω 参数
0.6307
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.217%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2914
越小混合越稳定
VEC
4.688
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-46.316
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9619
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3208824
参考引用

The crystal structure and related material properties of V5Si2B4W5 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3208824, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V5Si2B4W5
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.85539336
_cell_length_b   6.85539301
_cell_length_c   6.85960589
_cell_angle_alpha   129.15583739
_cell_angle_beta   129.15583189
_cell_angle_gamma   74.96282644
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V5Si2B4W5
_chemical_formula_sum   'V5 Si2 B4 W5'
_cell_volume   188.57282685
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.47226926  0.30334695  0.49974887  1.0
  V  V1  1  0.80334695  0.97226926  0.49974887  1.0
  V  V2  1  0.30383162  0.80383162  0.83441884  1.0
  V  V3  1  0.00386934  0.00113839  0.00008973  1.0
  V  V4  1  0.50113839  0.50386934  0.00008973  1.0
  Si  Si5  1  0.24651756  0.23877682  0.99666540  1.0
  Si  Si6  1  0.73877682  0.74651756  0.99666540  1.0
  B  B7  1  0.62100918  0.12100918  0.73657393  1.0
  B  B8  1  0.12713390  0.38071125  0.50352108  1.0
  B  B9  1  0.88071125  0.62713390  0.50352108  1.0
  B  B10  1  0.38484276  0.88484276  0.26198626  1.0
  W  W11  1  0.52860653  0.69172362  0.49854303  1.0
  W  W12  1  0.02923617  0.52923617  0.83615384  1.0
  W  W13  1  0.69276558  0.19276558  0.16359323  1.0
  W  W14  1  0.97422008  0.47422008  0.17013769  1.0
  W  W15  1  0.19172362  0.02860653  0.49854303  1.0
获取直接链接