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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V11CoSi3Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3209871 · 空间群: Pmm2 (#25)

基础信息

化学式
V11CoSi3Ge
MP-ID
mp-3209871
元素数
4
位点数
16
密度
6.3577
g/cm³
体积
202.73
ų
晶胞参数 a
4.6648
Å
晶胞参数 b
4.6647
Å
晶胞参数 c
9.3167
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.46982
eV/atom
能量/原子
-13.49562
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-13.4956
eV/atom
体积/原子
12.67
ų
c/a 比
1.9972

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.688
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.313
间隙分数
0.188
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9180
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.6326
J/mol·K
Ω 参数
0.5477
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.214%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1360
越小混合越稳定
VEC
5.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-27.921
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.6622
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3209871
参考引用

The crystal structure and related material properties of V11CoSi3Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3209871, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V11CoSi3Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.66478350
_cell_length_b   4.66471238
_cell_length_c   9.31668039
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V11CoSi3Ge
_chemical_formula_sum   'V11 Co1 Si3 Ge1'
_cell_volume   202.72978539
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.00541327  0.50000000  0.13184953  1.0
  V  V1  1  0.99828740  0.50000000  0.62251246  1.0
  V  V2  1  0.49813016  0.24894918  0.74528676  1.0
  V  V3  1  0.49813016  0.24894918  0.25471324  1.0
  V  V4  1  0.75684677  0.00000000  0.00000000  1.0
  V  V5  1  0.00541327  0.50000000  0.86815047  1.0
  V  V6  1  0.99828740  0.50000000  0.37748754  1.0
  V  V7  1  0.49813016  0.75105082  0.74528676  1.0
  V  V8  1  0.49813016  0.75105082  0.25471324  1.0
  V  V9  1  0.24953096  0.00000000  0.00000000  1.0
  V  V10  1  0.24555105  0.00000000  0.50000000  1.0
  Co  Co11  1  0.74615628  0.00000000  0.50000000  1.0
  Si  Si12  1  0.49651201  0.50000000  0.50000000  1.0
  Si  Si13  1  0.00160255  0.00000000  0.74958530  1.0
  Si  Si14  1  0.00160255  0.00000000  0.25041470  1.0
  Ge  Ge15  1  0.50227285  0.50000000  0.00000000  1.0
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