Hf10Ga2(SnSb)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3209918 · 空间群: P-62m (#189)

Materials Project API

基础信息

化学式

Hf10Ga2(SnSb)3

MP-ID

mp-3209918

元素数

位点数

密度

11.9386

g/cm³

体积

368.00

Å³

晶胞参数 a

8.5878

晶胞参数 b

8.5878

晶胞参数 c

5.7618

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-62m

点群

-6m2

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
23.93	3.7186	2.6	(2,0,-2,0)
25.88	3.4430	5.1	(2,-1,-1,1)
31.04	2.8809	9.5	(0,0,0,2)
31.83	2.8110	7.7	(2,-3,1,0)
31.83	2.8110	7.7	(3,-1,-2,0)
33.35	2.6864	6.7	(1,0,-1,2)
35.53	2.5264	25.1	(2,-3,1,1)
35.53	2.5264	50.3	(3,-1,-2,1)
36.24	2.4791	52.0	(3,-3,0,0)
36.24	2.4791	26.0	(3,0,-3,0)
37.60	2.3923	100.0	(2,-1,-1,2)
42.09	2.1469	1.2	(4,-2,-2,0)
46.78	1.9420	7.1	(3,-4,1,1)
46.78	1.9420	7.1	(4,-1,-3,1)
48.99	1.8593	1.0	(0,4,-4,0)
48.99	1.8593	2.1	(4,0,-4,0)
53.21	1.7215	8.9	(2,-4,2,2)
53.21	1.7215	17.7	(4,-2,-2,2)
54.73	1.6771	2.5	(4,-1,-3,2)
56.23	1.6360	4.7	(3,-5,2,1)
56.23	1.6360	9.5	(5,-2,-3,1)
56.72	1.6229	3.6	(4,-5,1,0)
56.72	1.6229	3.6	(5,-1,-4,0)
58.17	1.5858	18.4	(3,-1,-2,3)

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能量属性

形成能/原子

-0.59329

eV/atom

能量/原子

-35.35758

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-35.3576

eV/atom

体积/原子

20.44

Å³

c/a 比

0.6709

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Hf · 0.556

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.444

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1679

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.7102

J/mol·K

Ω 参数

0.9694

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

5.370%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3319

越小混合越稳定

VEC

4.056

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-16.636

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8425

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahaqkk

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3209918

参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf10Ga2(SnSb)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3209918, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Hf10Ga2(SnSb)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.58775988
_cell_length_b   8.58776142
_cell_length_c   5.76176355
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000162
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf10Ga2(SnSb)3
_chemical_formula_sum   'Hf10 Ga2 Sn3 Sb3'
_cell_volume   367.99839072
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.73794039  0.73794039  0.75000000  1.0
  Hf  Hf1  1  0.26205961  1.00000000  0.75000000  1.0
  Hf  Hf2  1  0.00000000  0.26205961  0.75000000  1.0
  Hf  Hf3  1  0.27100186  0.27100186  0.25000000  1.0
  Hf  Hf4  1  0.72899814  0.00000000  0.25000000  1.0
  Hf  Hf5  1  1.00000000  0.72899814  0.25000000  1.0
  Hf  Hf6  1  0.66666700  0.33333300  0.00206384  1.0
  Hf  Hf7  1  0.33333300  0.66666700  0.00206384  1.0
  Hf  Hf8  1  0.33333300  0.66666700  0.49793616  1.0
  Hf  Hf9  1  0.66666700  0.33333300  0.49793616  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00000000  0.00000000  0.00902219  1.0
  Ga  Ga11  1  0.00000000  0.00000000  0.49097781  1.0
  Sn  Sn12  1  0.61397815  0.61397815  0.25000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.38602185  0.00000000  0.25000000  1.0
  Sn  Sn14  1  1.00000000  0.38602185  0.25000000  1.0
  Sb  Sb15  1  0.39379987  0.39379987  0.75000000  1.0
  Sb  Sb16  1  0.60620013  1.00000000  0.75000000  1.0
  Sb  Sb17  1  0.00000000  0.60620013  0.75000000  1.0

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