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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ta4VSi2Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3212029 · 空间群: I4/mcm (#140)

基础信息

化学式
Ta4VSi2Ge
MP-ID
mp-3212029
元素数
4
位点数
16
密度
12.1568
g/cm³
体积
246.84
ų
晶胞参数 a
7.5054
Å
晶胞参数 b
7.5054
Å
晶胞参数 c
7.5054
Å
α 角
129.28
°
β 角
129.28
°
γ 角
74.56
°
空间群
I4/mcm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.60631
eV/atom
能量/原子
-30.59086
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-30.5909
eV/atom
体积/原子
15.43
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ta · 0.500
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2130
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0849
J/mol·K
Ω 参数
0.7567
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
9.217%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2055
越小混合越稳定
VEC
4.625
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-33.200
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8750
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3212029
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ta4VSi2Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3212029, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ta4VSi2Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.50542362
_cell_length_b   7.50542346
_cell_length_c   7.50542394
_cell_angle_alpha   129.28173826
_cell_angle_beta   129.28173422
_cell_angle_gamma   74.55766660
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ta4VSi2Ge
_chemical_formula_sum   'Ta8 V2 Si4 Ge2'
_cell_volume   246.83729629
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.01567435  0.51567435  0.82800818  1.0
  Ta  Ta1  1  0.68766717  0.18766717  0.17199182  1.0
  Ta  Ta2  1  0.51567435  0.68766717  0.50000000  1.0
  Ta  Ta3  1  0.18766717  0.01567435  0.50000000  1.0
  Ta  Ta4  1  0.98432565  0.48432565  0.17199182  1.0
  Ta  Ta5  1  0.31233283  0.81233283  0.82800818  1.0
  Ta  Ta6  1  0.48432565  0.31233283  0.50000000  1.0
  Ta  Ta7  1  0.81233283  0.98432565  0.50000000  1.0
  V  V8  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  V  V9  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Si  Si10  1  0.63347731  0.13347731  0.76695361  1.0
  Si  Si11  1  0.36652269  0.86652269  0.23304639  1.0
  Si  Si12  1  0.13347731  0.36652269  0.50000000  1.0
  Si  Si13  1  0.86652269  0.63347731  0.50000000  1.0
  Ge  Ge14  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
  Ge  Ge15  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
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