Ta4VSi2Ge
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3212029 · 空间群: I4/mcm (#140)
基础信息
化学式
Ta4VSi2Ge
MP-ID
mp-3212029
元素数
4
位点数
16
密度
12.1568
g/cm³
体积
246.84
ų
晶胞参数 a
7.5054
Å
晶胞参数 b
7.5054
Å
晶胞参数 c
7.5054
Å
α 角
129.28
°
β 角
129.28
°
γ 角
74.56
°
空间群
I4/mcm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 14.83 | 5.9721 | 13.4 | (1,1,-1) |
| 19.53 | 4.5460 | 2.0 | (0,0,1) |
| 19.53 | 4.5460 | 2.0 | (1,-1,0) |
| 27.75 | 3.2145 | 10.4 | (1,-1,1) |
| 29.92 | 2.9860 | 15.5 | (2,2,-2) |
| 31.61 | 2.8305 | 1.4 | (2,0,-2) |
| 32.02 | 2.7953 | 48.6 | (2,-1,0) |
| 35.98 | 2.4958 | 15.2 | (2,2,-3) |
| 38.63 | 2.3309 | 100.0 | (2,1,-3) |
| 38.63 | 2.3309 | 14.3 | (0,3,-1) |
| 39.65 | 2.2730 | 3.5 | (0,0,2) |
| 39.65 | 2.2730 | 3.5 | (2,-2,0) |
| 41.27 | 2.1878 | 25.0 | (3,1,-3) |
| 44.57 | 2.0330 | 8.6 | (1,-1,2) |
| 44.57 | 2.0330 | 25.8 | (2,-2,1) |
| 45.57 | 1.9907 | 10.0 | (3,3,-3) |
| 47.23 | 1.9246 | 1.7 | (2,0,-3) |
| 50.02 | 1.8235 | 3.5 | (3,3,-4) |
| 54.20 | 1.6924 | 6.1 | (4,2,-4) |
| 54.61 | 1.6805 | 3.4 | (3,1,-4) |
| 57.33 | 1.6073 | 1.7 | (2,-2,2) |
| 57.33 | 1.6073 | 1.7 | (2,-2,-2) |
| 59.82 | 1.5461 | 6.9 | (3,-2,1) |
| 59.82 | 1.5461 | 2.3 | (3,-2,-2) |
能量属性
形成能/原子
-0.60631
eV/atom
能量/原子
-30.59086
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-30.5909
eV/atom
体积/原子
15.43
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ta · 0.500
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.250
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2130
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.0849
J/mol·K
Ω 参数
0.7567
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
9.217%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2055
越小混合越稳定
VEC
4.625
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-33.200
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8750
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3212029
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ta4VSi2Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3212029, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ta4VSi2Ge
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.50542362
_cell_length_b 7.50542346
_cell_length_c 7.50542394
_cell_angle_alpha 129.28173826
_cell_angle_beta 129.28173422
_cell_angle_gamma 74.55766660
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ta4VSi2Ge
_chemical_formula_sum 'Ta8 V2 Si4 Ge2'
_cell_volume 246.83729629
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ta Ta0 1 0.01567435 0.51567435 0.82800818 1.0
Ta Ta1 1 0.68766717 0.18766717 0.17199182 1.0
Ta Ta2 1 0.51567435 0.68766717 0.50000000 1.0
Ta Ta3 1 0.18766717 0.01567435 0.50000000 1.0
Ta Ta4 1 0.98432565 0.48432565 0.17199182 1.0
Ta Ta5 1 0.31233283 0.81233283 0.82800818 1.0
Ta Ta6 1 0.48432565 0.31233283 0.50000000 1.0
Ta Ta7 1 0.81233283 0.98432565 0.50000000 1.0
V V8 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
V V9 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
Si Si10 1 0.63347731 0.13347731 0.76695361 1.0
Si Si11 1 0.36652269 0.86652269 0.23304639 1.0
Si Si12 1 0.13347731 0.36652269 0.50000000 1.0
Si Si13 1 0.86652269 0.63347731 0.50000000 1.0
Ge Ge14 1 0.75000000 0.75000000 0.00000000 1.0
Ge Ge15 1 0.25000000 0.25000000 0.00000000 1.0
