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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Nb10Ga2Si4C

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3212350 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
Nb10Ga2Si4C
MP-ID
mp-3212350
元素数
4
位点数
17
密度
7.4080
g/cm³
体积
267.39
ų
晶胞参数 a
7.6296
Å
晶胞参数 b
7.6428
Å
晶胞参数 c
5.2918
Å
α 角
89.97
°
β 角
90.05
°
γ 角
119.94
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.65251
eV/atom
能量/原子
-19.19772
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-19.1977
eV/atom
体积/原子
15.73
ų
c/a 比
0.6936

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Nb · 0.588
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.412
间隙分数
0.294
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0710
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.9044
J/mol·K
Ω 参数
0.4528
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.858%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2379
越小混合越稳定
VEC
4.471
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-44.741
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7726
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3212350
参考引用

The crystal structure and related material properties of Nb10Ga2Si4C were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3212350, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Nb10Ga2Si4C
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.62961462
_cell_length_b   7.64276143
_cell_length_c   5.29182110
_cell_angle_alpha   89.97321603
_cell_angle_beta   90.05366026
_cell_angle_gamma   119.94311371
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Nb10Ga2Si4C
_chemical_formula_sum   'Nb10 Ga2 Si4 C1'
_cell_volume   267.38507523
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Nb  Nb0  1  0.00352535  0.76285222  0.25561309  1.0
  Nb  Nb1  1  0.24067313  0.23714778  0.25561309  1.0
  Nb  Nb2  1  0.75775949  0.00000000  0.25584480  1.0
  Nb  Nb3  1  0.00024893  0.23848015  0.74331281  1.0
  Nb  Nb4  1  0.76176778  0.76151985  0.74331281  1.0
  Nb  Nb5  1  0.24085208  0.00000000  0.74432697  1.0
  Nb  Nb6  1  0.33402265  0.67066359  0.99832084  1.0
  Nb  Nb7  1  0.66336005  0.32933641  0.99832084  1.0
  Nb  Nb8  1  0.66366252  0.32957388  0.50112333  1.0
  Nb  Nb9  1  0.33408864  0.67042612  0.50112333  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00061003  0.40058362  0.24375486  1.0
  Ga  Ga11  1  0.60002642  0.59941638  0.24375486  1.0
  Si  Si12  1  0.40032109  0.00000000  0.24042097  1.0
  Si  Si13  1  0.99836738  0.59875840  0.75854489  1.0
  Si  Si14  1  0.39960998  0.40124160  0.75854489  1.0
  Si  Si15  1  0.60196877  0.00000000  0.75933330  1.0
  C  C16  1  0.99913670  0.00000000  0.49873629  1.0
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