V10GaB4Se

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3214013 · 空间群: I422 (#97)

Materials Project API

基础信息

化学式

V10GaB4Se

MP-ID

mp-3214013

元素数

位点数

密度

6.4393

g/cm³

体积

180.86

Å³

晶胞参数 a

6.7820

晶胞参数 b

6.7820

晶胞参数 c

6.7820

α 角

129.55

β 角

129.55

γ 角

74.13

空间群

I422

点群

422

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
16.38	5.4115	6.8	(1,1,-1)
21.74	4.0878	33.2	(1,-1,0)
27.34	3.2618	3.5	(1,1,-2)
27.34	3.2618	3.5	(0,2,-1)
30.94	2.8905	2.1	(1,-1,1)
33.11	2.7058	3.4	(2,2,-2)
35.71	2.5146	64.7	(2,-1,-1)
39.96	2.2563	41.0	(2,2,-3)
39.96	2.2563	41.0	(1,3,-2)
43.04	2.1015	85.5	(2,1,-3)
44.32	2.0439	17.4	(2,-2,0)
44.32	2.0439	17.4	(0,0,2)
45.94	1.9754	100.0	(3,1,-3)
47.55	1.9121	2.1	(3,-1,-1)
49.88	1.8281	80.8	(2,-2,1)
50.60	1.8039	1.3	(3,3,-3)
52.86	1.7320	2.4	(3,-1,-2)
55.35	1.6597	5.9	(3,2,-4)
55.35	1.6597	5.9	(4,1,-2)
55.70	1.6503	2.5	(3,3,-4)
56.42	1.6309	1.6	(2,2,-4)
56.42	1.6309	4.7	(4,0,-2)
60.50	1.5303	1.8	(4,2,-4)
60.50	1.5303	1.8	(4,2,-2)

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能量属性

形成能/原子

-0.64894

eV/atom

能量/原子

-12.90116

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-12.9012

eV/atom

体积/原子

11.30

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.625

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.375

间隙分数

0.250

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9869

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.2051

J/mol·K

Ω 参数

0.4381

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

15.560%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2600

越小混合越稳定

VEC

4.313

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-37.489

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7119

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahawlx

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3214013

参考引用

The crystal structure and related material properties of V10GaB4Se were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3214013, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_V10GaB4Se
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.78197471
_cell_length_b   6.78197460
_cell_length_c   6.78197498
_cell_angle_alpha   129.54556558
_cell_angle_beta   129.54556904
_cell_angle_gamma   74.13430793
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V10GaB4Se
_chemical_formula_sum   'V10 Ga1 B4 Se1'
_cell_volume   180.85828553
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.53095320  0.69603927  0.49787002  1.0
  V  V1  1  0.03308418  0.53095320  0.83491393  1.0
  V  V2  1  0.69603927  0.19816925  0.16508607  1.0
  V  V3  1  0.96904680  0.46691582  0.16508607  1.0
  V  V4  1  0.19816925  0.03308418  0.50212998  1.0
  V  V5  1  0.46691582  0.30183075  0.49787002  1.0
  V  V6  1  0.80396073  0.96904680  0.50212998  1.0
  V  V7  1  0.30183075  0.80396073  0.83491393  1.0
  V  V8  1  0.99813846  0.99813846  1.00000000  1.0
  V  V9  1  0.50186154  0.50186154  0.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
  B  B11  1  0.61621256  0.11621256  0.73242612  1.0
  B  B12  1  0.11621256  0.38378744  0.50000000  1.0
  B  B13  1  0.88378744  0.61621256  0.50000000  1.0
  B  B14  1  0.38378744  0.88378744  0.26757388  1.0
  Se  Se15  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0

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