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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

MP-ID: mp-3214777 · 空间群: Im-3m (#229)

基础信息

化学式
Ga3Ge4Ir3
MP-ID
mp-3214777
元素数
3
位点数
20
密度
10.7831
g/cm³
体积
331.51
ų
晶胞参数 a
7.5516
Å
晶胞参数 b
7.5516
Å
晶胞参数 c
7.5516
Å
α 角
109.47
°
β 角
109.47
°
γ 角
109.47
°
空间群
Im-3m
点群
m-3m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cI
稳定性
Yes
堆积分数
0.6802

能量属性

形成能/原子
-0.41792
eV/atom
能量/原子
-25.10735
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-25.1073
eV/atom
体积/原子
16.58
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ge · 0.400
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.600
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0889
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.0531
J/mol·K
Ω 参数
1.2465
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
3.929%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1511
越小混合越稳定
VEC
5.200
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-10.147
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9912
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3214777
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ga3Ge4Ir3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3214777, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ga3Ge4Ir3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.55162819
_cell_length_b   7.55162658
_cell_length_c   7.55162795
_cell_angle_alpha   109.47123211
_cell_angle_beta   109.47122778
_cell_angle_gamma   109.47120679
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ga3Ge4Ir3
_chemical_formula_sum   'Ga6 Ge8 Ir6'
_cell_volume   331.51239755
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.50000000  0.75000000  0.25000000  1.0
  Ga  Ga1  1  0.50000000  0.25000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga2  1  0.25000000  0.50000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.75000000  0.50000000  0.25000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.75000000  0.25000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.25000000  0.75000000  0.50000000  1.0
  Ge  Ge6  1  0.32739681  0.32739681  0.32739681  1.0
  Ge  Ge7  1  0.67260319  0.67260319  0.67260319  1.0
  Ge  Ge8  1  0.00000000  0.00000000  0.67260319  1.0
  Ge  Ge9  1  1.00000000  0.67260319  0.00000000  1.0
  Ge  Ge10  1  1.00000000  1.00000000  0.32739681  1.0
  Ge  Ge11  1  0.00000000  0.32739681  1.00000000  1.0
  Ge  Ge12  1  0.67260319  1.00000000  1.00000000  1.0
  Ge  Ge13  1  0.32739681  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ir  Ir14  1  1.00000000  0.33810470  0.33810470  1.0
  Ir  Ir15  1  0.00000000  0.66189530  0.66189530  1.0
  Ir  Ir16  1  0.33810470  0.00000000  0.33810470  1.0
  Ir  Ir17  1  0.66189530  1.00000000  0.66189530  1.0
  Ir  Ir18  1  0.33810470  0.33810470  1.00000000  1.0
  Ir  Ir19  1  0.66189530  0.66189530  0.00000000  1.0
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