TaNb9(GaSi2)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3216039 · 空间群: I4/m (#87)

Materials Project API

基础信息

化学式

TaNb9(GaSi2)2

MP-ID

mp-3216039

元素数

位点数

密度

7.9890

g/cm³

体积

263.74

Å³

晶胞参数 a

7.5969

晶胞参数 b

7.5968

晶胞参数 c

7.5968

α 角

128.11

β 角

128.11

γ 角

76.45

空间群

I4/m

点群

4/m

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.64717

eV/atom

能量/原子

-21.22087

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-21.2209

eV/atom

体积/原子

16.48

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Nb · 0.563

元素家族

4d-TM

溶质分数

0.438

间隙分数

0.250

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1034

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.1739

J/mol·K

Ω 参数

0.6258

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

8.945%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1400

越小混合越稳定

VEC

4.500

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-32.428

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7960

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahazlv

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3216039

参考引用

The crystal structure and related material properties of TaNb9(GaSi2)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3216039, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_TaNb9(GaSi2)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.59685729
_cell_length_b   7.59680116
_cell_length_c   7.59684087
_cell_angle_alpha   128.10518979
_cell_angle_beta   128.10539756
_cell_angle_gamma   76.45453199
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   TaNb9(GaSi2)2
_chemical_formula_sum   'Ta1 Nb9 Ga2 Si4'
_cell_volume   263.74494238
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Nb  Nb1  1  0.01788919  0.18620332  0.49921284  1.0
  Nb  Nb2  1  0.68698875  0.51867827  0.50078773  1.0
  Nb  Nb3  1  0.51867761  0.01788922  0.83168795  1.0
  Nb  Nb4  1  0.18620320  0.68698962  0.16831308  1.0
  Nb  Nb5  1  0.98211081  0.81379668  0.50078716  1.0
  Nb  Nb6  1  0.31301125  0.48132173  0.49921227  1.0
  Nb  Nb7  1  0.48132239  0.98211078  0.16831205  1.0
  Nb  Nb8  1  0.81379680  0.31301038  0.83168692  1.0
  Nb  Nb9  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.74973115  0.74973199  0.99999883  1.0
  Ga  Ga11  1  0.25026885  0.25026801  0.00000117  1.0
  Si  Si12  1  0.37091242  0.12829054  0.49920332  1.0
  Si  Si13  1  0.62908758  0.87170946  0.50079668  1.0
  Si  Si14  1  0.87170897  0.37091231  0.24262189  1.0
  Si  Si15  1  0.12829103  0.62908769  0.75737811  1.0

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