Ho4TmGa2Bi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3217377 · 空间群: I4/mcm (#140)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho4TmGa2Bi

MP-ID

mp-3217377

元素数

位点数

密度

9.3555

g/cm³

体积

417.85

Å³

晶胞参数 a

8.6214

晶胞参数 b

8.6214

晶胞参数 c

8.6214

α 角

124.54

β 角

124.54

γ 角

82.30

空间群

I4/mcm

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
15.62	5.6729	5.0	(1,-1,0)
22.16	4.0114	2.4	(1,-1,1)
25.76	3.4583	24.5	(1,0,1)
31.54	2.8365	18.6	(2,-2,0)
31.76	2.8174	35.3	(2,2,-1)
31.76	2.8174	11.8	(2,2,-3)
32.41	2.7622	100.0	(2,1,0)
35.38	2.5370	21.6	(2,-2,-1)
35.38	2.5370	64.8	(1,-1,2)
35.58	2.5233	35.9	(3,1,-1)
41.74	2.1640	4.4	(3,3,-3)
42.32	2.1359	4.1	(2,2,0)
42.32	2.1359	4.1	(4,0,-2)
43.00	2.1036	5.1	(3,2,-1)
43.00	2.1036	5.1	(4,1,-3)
44.83	2.0219	2.2	(3,3,-2)
45.21	2.0057	2.0	(2,-2,2)
45.37	1.9989	1.7	(3,1,0)
45.86	1.9789	3.3	(2,1,1)
45.86	1.9789	1.1	(2,1,-4)
47.23	1.9243	2.4	(3,-2,1)
47.75	1.9045	2.4	(4,2,-2)
48.12	1.8910	3.5	(3,-3,0)
50.90	1.7939	7.8	(3,-3,-1)

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能量属性

形成能/原子

-0.68711

eV/atom

能量/原子

-31.69139

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-31.6914

eV/atom

体积/原子

26.12

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.1222

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000290

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ho · 0.500

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.500

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2130

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.0849

J/mol·K

Ω 参数

10.7315

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

10.387%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3186

越小混合越稳定

VEC

8.500

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.163

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8750

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahbblh

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3217377

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho4TmGa2Bi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3217377, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho4TmGa2Bi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.62135389
_cell_length_b   8.62135402
_cell_length_c   8.62135351
_cell_angle_alpha   124.54326122
_cell_angle_beta   124.54326581
_cell_angle_gamma   82.29591944
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho4TmGa2Bi
_chemical_formula_sum   'Ho8 Tm2 Ga4 Bi2'
_cell_volume   417.84791908
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.01187772  0.51187772  0.80456357  1.0
  Ho  Ho1  1  0.70731414  0.20731414  0.19543643  1.0
  Ho  Ho2  1  0.51187772  0.70731414  0.50000000  1.0
  Ho  Ho3  1  0.20731414  0.01187772  0.50000000  1.0
  Ho  Ho4  1  0.98812228  0.48812228  0.19543643  1.0
  Ho  Ho5  1  0.29268586  0.79268586  0.80456357  1.0
  Ho  Ho6  1  0.48812228  0.29268586  0.50000000  1.0
  Ho  Ho7  1  0.79268586  0.98812228  0.50000000  1.0
  Tm  Tm8  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Tm  Tm9  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.65000228  0.15000228  0.80000255  1.0
  Ga  Ga11  1  0.34999772  0.84999772  0.19999745  1.0
  Ga  Ga12  1  0.15000228  0.34999772  0.50000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.84999772  0.65000228  0.50000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0

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