Th4MgScSi4
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3221940 · 空间群: P4/m (#83)
基础信息
化学式
Th4MgScSi4
MP-ID
mp-3221940
元素数
4
位点数
10
密度
7.7459
g/cm³
体积
237.90
ų
晶胞参数 a
7.3656
Å
晶胞参数 b
7.3656
Å
晶胞参数 c
4.3852
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/m
点群
4/m
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 17.02 | 5.2083 | 6.6 | (1,1,0) |
| 20.25 | 4.3852 | 43.9 | (0,0,1) |
| 24.17 | 3.6828 | 27.7 | (2,0,0) |
| 26.57 | 3.3545 | 5.6 | (1,1,1) |
| 27.07 | 3.2940 | 54.4 | (2,1,0) |
| 31.73 | 2.8202 | 51.0 | (2,0,1) |
| 34.04 | 2.6337 | 100.0 | (2,1,1) |
| 34.44 | 2.6041 | 8.9 | (2,2,0) |
| 38.66 | 2.3292 | 17.9 | (3,1,0) |
| 40.28 | 2.2391 | 5.3 | (2,2,1) |
| 41.17 | 2.1926 | 17.6 | (0,0,2) |
| 44.02 | 2.0570 | 6.8 | (3,1,1) |
| 44.34 | 2.0429 | 3.3 | (3,2,0) |
| 44.85 | 2.0208 | 1.2 | (1,1,2) |
| 48.31 | 1.8840 | 9.2 | (2,0,2) |
| 49.20 | 1.8518 | 1.1 | (3,2,1) |
| 49.97 | 1.8252 | 21.6 | (2,1,2) |
| 51.13 | 1.7864 | 21.1 | (4,1,0) |
| 52.73 | 1.7361 | 9.7 | (3,3,0) |
| 54.73 | 1.6773 | 4.8 | (2,2,2) |
| 55.55 | 1.6544 | 30.9 | (4,1,1) |
| 57.06 | 1.6142 | 17.8 | (3,3,1) |
| 57.75 | 1.5965 | 11.2 | (3,1,2) |
| 62.10 | 1.4947 | 2.4 | (3,2,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.68860
eV/atom
能量/原子
-35.14499
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-35.1450
eV/atom
体积/原子
23.79
ų
c/a 比
0.5954
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0148
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000060
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.400
元素家族
Actinide
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1936
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.9232
J/mol·K
Ω 参数
1.7611
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
18.952%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2887
越小混合越稳定
VEC
2.900
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-10.111
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8610
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3221940
参考引用
The crystal structure and related material properties of Th4MgScSi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3221940, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th4MgScSi4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.36559219
_cell_length_b 7.36559219
_cell_length_c 4.38517656
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Th4MgScSi4
_chemical_formula_sum 'Th4 Mg1 Sc1 Si4'
_cell_volume 237.90437200
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Th Th0 1 0.67396861 0.18509171 0.50000000 1.0
Th Th1 1 0.32603139 0.81490829 0.50000000 1.0
Th Th2 1 0.18509171 0.32603139 0.50000000 1.0
Th Th3 1 0.81490829 0.67396861 0.50000000 1.0
Mg Mg4 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
Sc Sc5 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Si Si6 1 0.10805978 0.62757169 0.00000000 1.0
Si Si7 1 0.89194022 0.37242831 0.00000000 1.0
Si Si8 1 0.62757169 0.89194022 0.00000000 1.0
Si Si9 1 0.37242831 0.10805978 0.00000000 1.0
