Th4CdInGa4
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3222000 · 空间群: P4/m (#83)
基础信息
化学式
Th4CdInGa4
MP-ID
mp-3222000
元素数
4
位点数
10
密度
9.5740
g/cm³
体积
248.76
ų
晶胞参数 a
7.4749
Å
晶胞参数 b
7.4749
Å
晶胞参数 c
4.4523
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/m
点群
4/m
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 16.77 | 5.2855 | 2.0 | (1,1,0) |
| 19.94 | 4.4523 | 7.9 | (0,0,1) |
| 23.81 | 3.7374 | 6.3 | (2,0,0) |
| 26.17 | 3.4052 | 9.0 | (1,1,1) |
| 26.67 | 3.3429 | 23.8 | (2,1,0) |
| 31.25 | 2.8626 | 49.7 | (2,0,1) |
| 33.52 | 2.6732 | 100.0 | (2,1,1) |
| 33.92 | 2.6428 | 9.9 | (2,2,0) |
| 38.07 | 2.3638 | 29.5 | (3,1,0) |
| 40.52 | 2.2261 | 21.0 | (0,0,2) |
| 43.66 | 2.0732 | 3.8 | (3,2,0) |
| 47.54 | 1.9126 | 2.2 | (2,0,2) |
| 48.73 | 1.8687 | 1.4 | (4,0,0) |
| 49.17 | 1.8529 | 9.6 | (2,1,2) |
| 50.33 | 1.8129 | 13.7 | (4,1,0) |
| 51.90 | 1.7618 | 6.2 | (3,3,0) |
| 53.85 | 1.7026 | 5.3 | (2,2,2) |
| 54.66 | 1.6791 | 19.7 | (4,1,1) |
| 54.93 | 1.6714 | 2.5 | (4,2,0) |
| 56.14 | 1.6382 | 15.6 | (3,3,1) |
| 56.81 | 1.6206 | 18.4 | (3,1,2) |
| 61.08 | 1.5171 | 2.7 | (3,2,2) |
| 65.18 | 1.4313 | 1.2 | (4,0,2) |
| 66.52 | 1.4057 | 12.0 | (4,1,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.58057
eV/atom
能量/原子
-38.81615
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-38.8162
eV/atom
体积/原子
24.88
ų
c/a 比
0.5956
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0004
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.400
元素家族
Actinide
溶质分数
0.600
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1936
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.9232
J/mol·K
Ω 参数
2.7884
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.959%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2400
越小混合越稳定
VEC
3.500
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.806
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8610
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3222000
参考引用
The crystal structure and related material properties of Th4CdInGa4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3222000, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th4CdInGa4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.47485831
_cell_length_b 7.47485831
_cell_length_c 4.45225897
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Th4CdInGa4
_chemical_formula_sum 'Th4 Cd1 In1 Ga4'
_cell_volume 248.76332107
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Th Th0 1 0.67585816 0.17434856 0.50000000 1.0
Th Th1 1 0.17434856 0.32414184 0.50000000 1.0
Th Th2 1 0.82565144 0.67585816 0.50000000 1.0
Th Th3 1 0.32414184 0.82565144 0.50000000 1.0
Cd Cd4 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
In In5 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Ga Ga6 1 0.87641353 0.38022770 0.00000000 1.0
Ga Ga7 1 0.38022770 0.12358647 0.00000000 1.0
Ga Ga8 1 0.61977230 0.87641353 0.00000000 1.0
Ga Ga9 1 0.12358647 0.61977230 0.00000000 1.0
