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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

ThNiOs2C

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3222100 · 空间群: Cmcm (#63)

基础信息

化学式
ThNiOs2C
MP-ID
mp-3222100
元素数
4
位点数
10
密度
14.5273
g/cm³
体积
156.19
ų
晶胞参数 a
3.9782
Å
晶胞参数 b
5.5844
Å
晶胞参数 c
7.5247
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
69.12
°
空间群
Cmcm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.31811
eV/atom
能量/原子
-40.59305
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-40.5931
eV/atom
体积/原子
15.62
ų
c/a 比
1.8915

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0005
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Os · 0.400
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.600
间隙分数
0.200
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3322
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0757
J/mol·K
Ω 参数
1.8104
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
25.229%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4184
越小混合越稳定
VEC
6.400
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-17.470
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9610
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3222100
参考引用

The crystal structure and related material properties of ThNiOs2C were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3222100, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_ThNiOs2C
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.97818176
_cell_length_b   5.58442504
_cell_length_c   7.52465700
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   69.11775961
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ThNiOs2C
_chemical_formula_sum   'Th2 Ni2 Os4 C2'
_cell_volume   156.18636565
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.96313180  0.07376487  0.25000100  1.0
  Th  Th1  1  0.03686920  0.92623613  0.75000000  1.0
  Ni  Ni2  1  0.23432586  0.53054181  0.25000100  1.0
  Ni  Ni3  1  0.76567514  0.46945719  0.75000000  1.0
  Os  Os4  1  0.67715975  0.64553446  0.05824985  1.0
  Os  Os5  1  0.67715975  0.64553446  0.44175015  1.0
  Os  Os6  1  0.32284125  0.35446554  0.55824985  1.0
  Os  Os7  1  0.32284125  0.35446554  0.94175115  1.0
  C  C8  1  0.50000100  0.00000000  0.00000000  1.0
  C  C9  1  0.50000100  0.00000000  0.50000000  1.0
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