Sc3GaSi2Os3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3222298 · 空间群: P-6 (#174)

Materials Project API

基础信息

化学式

Sc3GaSi2Os3

MP-ID

mp-3222298

元素数

位点数

密度

9.8361

g/cm³

体积

140.37

Å³

晶胞参数 a

6.9838

晶胞参数 b

6.9838

晶胞参数 c

3.3231

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-6

点群

-6

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
14.65	6.0482	23.7	(1,-1,0,0)
14.65	6.0482	11.9	(1,0,-1,0)
25.51	3.4919	53.7	(2,-1,-1,0)
26.83	3.3231	41.8	(0,0,0,1)
29.54	3.0241	10.2	(2,0,-2,0)
30.70	2.9125	11.9	(1,0,-1,1)
37.36	2.4073	100.0	(2,-1,-1,1)
39.42	2.2860	81.9	(3,-1,-2,0)
40.32	2.2366	40.9	(2,0,-2,1)
44.96	2.0161	14.8	(3,-3,0,0)
44.96	2.0161	7.4	(3,0,-3,0)
48.32	1.8834	66.1	(3,-1,-2,1)
53.14	1.7237	7.0	(3,0,-3,1)
54.72	1.6775	3.9	(4,-1,-3,0)
55.29	1.6616	15.5	(0,0,0,2)
57.52	1.6022	2.3	(1,0,-1,2)
59.84	1.5456	1.3	(4,-2,-2,1)
61.31	1.5120	4.4	(4,-4,0,0)
61.31	1.5120	8.7	(4,0,-4,0)
61.84	1.5004	6.8	(2,-1,-1,2)
61.84	1.5004	3.4	(1,1,-2,2)
61.97	1.4975	7.5	(4,-1,-3,1)
63.93	1.4562	2.5	(2,0,-2,2)
67.50	1.3876	13.6	(5,-2,-3,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.82197

eV/atom

能量/原子

-25.50436

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-25.5044

eV/atom

体积/原子

15.60

Å³

c/a 比

0.4758

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0001

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Sc · 0.333

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.222

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

0.6215

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.164%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3464

越小混合越稳定

VEC

4.889

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-37.090

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahbiso

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3222298

参考引用

The crystal structure and related material properties of Sc3GaSi2Os3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3222298, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Sc3GaSi2Os3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.98383085
_cell_length_b   6.98383105
_cell_length_c   3.32312923
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000381
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Sc3GaSi2Os3
_chemical_formula_sum   'Sc3 Ga1 Si2 Os3'
_cell_volume   140.36708519
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Sc  Sc0  1  0.39823818  0.39465235  0.50000000  1.0
  Sc  Sc1  1  0.60534765  0.00358683  0.50000000  1.0
  Sc  Sc2  1  0.99641317  0.60176182  0.50000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Si  Si4  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Si  Si5  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Os  Os6  1  0.75057459  0.74231692  0.00000000  1.0
  Os  Os7  1  0.25768308  0.00825667  0.00000000  1.0
  Os  Os8  1  0.99174333  0.24942541  0.00000000  1.0

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