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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

YHoInGa2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3222617 · 空间群: Pmc2_1 (#26)

基础信息

化学式
YHoInGa2
MP-ID
mp-3222617
元素数
4
位点数
10
密度
7.4719
g/cm³
体积
225.84
ų
晶胞参数 a
7.1511
Å
晶胞参数 b
7.1510
Å
晶胞参数 c
4.4163
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmc2_1
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.74546
eV/atom
能量/原子
-20.47727
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-20.4773
eV/atom
体积/原子
22.58
ų
c/a 比
0.6176

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0037
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.400
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.600
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3322
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0757
J/mol·K
Ω 参数
0.7076
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.343%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2819
越小混合越稳定
VEC
4.600
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-14.302
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9610
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3222617
参考引用

The crystal structure and related material properties of YHoInGa2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3222617, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_YHoInGa2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.15107504
_cell_length_b   7.15101893
_cell_length_c   4.41631134
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   YHoInGa2
_chemical_formula_sum   'Y2 Ho2 In2 Ga4'
_cell_volume   225.83900214
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Y  Y0  1  0.32723788  0.82774588  0.50000000  1.0
  Y  Y1  1  0.82723788  0.67225412  0.50000000  1.0
  Ho  Ho2  1  0.17233338  0.32709278  0.50000000  1.0
  Ho  Ho3  1  0.67233338  0.17290722  0.50000000  1.0
  In  In4  1  0.00003760  0.00022601  0.00000000  1.0
  In  In5  1  0.50003760  0.49977399  0.00000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.12509596  0.62304540  0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.62509596  0.87695460  0.00000000  1.0
  Ga  Ga8  1  0.37529418  0.12662606  0.00000000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.87529418  0.37337394  0.00000000  1.0
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