MgSc4InGa4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3223182 · 空间群: P4/m (#83)

Materials Project API

基础信息

化学式

MgSc4InGa4

MP-ID

mp-3223182

元素数

位点数

密度

5.0013

g/cm³

体积

198.50

Å³

晶胞参数 a

7.1019

晶胞参数 b

7.1019

晶胞参数 c

3.9355

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

P4/m

点群

4/m

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
12.46	7.1019	19.2	(1,0,0)
17.66	5.0218	2.4	(1,1,0)
22.59	3.9355	21.8	(0,0,1)
25.88	3.4423	6.7	(1,0,1)
28.10	3.1761	12.5	(2,1,0)
34.00	2.6364	29.4	(2,0,1)
35.76	2.5109	8.4	(2,2,0)
36.35	2.4716	100.0	(2,1,1)
40.15	2.2458	41.5	(3,1,0)
42.72	2.1168	1.8	(2,2,1)
44.67	2.0286	1.2	(3,0,1)
46.08	1.9697	11.8	(3,2,0)
46.13	1.9678	18.8	(0,0,2)
46.56	1.9506	17.1	(3,1,1)
47.97	1.8963	1.3	(1,0,2)
51.47	1.7755	3.2	(4,0,0)
51.91	1.7614	11.9	(3,2,1)
53.18	1.7225	4.1	(4,1,0)
54.84	1.6739	1.7	(3,3,0)
54.89	1.6727	4.1	(2,1,2)
58.08	1.5880	3.2	(4,2,0)
58.49	1.5780	5.4	(4,1,1)
59.70	1.5488	3.5	(2,2,2)
60.06	1.5404	2.5	(3,3,1)

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能量属性

形成能/原子

-0.60500

eV/atom

能量/原子

-12.41630

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-12.4163

eV/atom

体积/原子

19.85

Å³

c/a 比

0.5542

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0010

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Sc · 0.400

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.600

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1936

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.9232

J/mol·K

Ω 参数

0.4090

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

8.960%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2276

越小混合越稳定

VEC

2.900

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-23.827

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8610

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahbkao

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3223182

参考引用

The crystal structure and related material properties of MgSc4InGa4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3223182, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_MgSc4InGa4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.10191887
_cell_length_b   7.10191887
_cell_length_c   3.93551870
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   MgSc4InGa4
_chemical_formula_sum   'Mg1 Sc4 In1 Ga4'
_cell_volume   198.49674694
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Mg  Mg0  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Sc  Sc1  1  0.17511413  0.32857533  0.50000000  1.0
  Sc  Sc2  1  0.32857533  0.82488587  0.50000000  1.0
  Sc  Sc3  1  0.82488587  0.67142467  0.50000000  1.0
  Sc  Sc4  1  0.67142467  0.17511413  0.50000000  1.0
  In  In5  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.62936383  0.88049105  0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.11950895  0.62936383  0.00000000  1.0
  Ga  Ga8  1  0.88049105  0.37063617  0.00000000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.37063617  0.11950895  0.00000000  1.0

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