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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ta2V2GaP

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3223230 · 空间群: P2_1/m (#11)

基础信息

化学式
Ta2V2GaP
MP-ID
mp-3223230
元素数
4
位点数
12
密度
10.7474
g/cm³
体积
174.43
ų
晶胞参数 a
3.3456
Å
晶胞参数 b
6.5969
Å
晶胞参数 c
7.9039
Å
α 角
89.38
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P2_1/m
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.63220
eV/atom
能量/原子
-24.93347
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-24.9335
eV/atom
体积/原子
14.54
ų
c/a 比
2.3625

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ta · 0.333
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.167
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3297
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0548
J/mol·K
Ω 参数
1.8142
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
8.948%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2385
越小混合越稳定
VEC
4.667
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-11.746
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9591
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3223230
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ta2V2GaP were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3223230, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ta2V2GaP
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.34555420
_cell_length_b   6.59688116
_cell_length_c   7.90385391
_cell_angle_alpha   89.37819378
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ta2V2GaP
_chemical_formula_sum   'Ta4 V4 Ga2 P2'
_cell_volume   174.42954981
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.25000000  0.56066956  0.17363384  1.0
  Ta  Ta1  1  0.75000000  0.43933044  0.82636616  1.0
  Ta  Ta2  1  0.75000000  0.96772833  0.65981112  1.0
  Ta  Ta3  1  0.25000000  0.03227167  0.34018888  1.0
  V  V4  1  0.25000000  0.62791365  0.55598401  1.0
  V  V5  1  0.75000000  0.37208635  0.44401599  1.0
  V  V6  1  0.75000000  0.87006730  0.06801931  1.0
  V  V7  1  0.25000000  0.12993270  0.93198069  1.0
  Ga  Ga8  1  0.25000000  0.75049726  0.85872072  1.0
  Ga  Ga9  1  0.75000000  0.24950274  0.14127928  1.0
  P  P10  1  0.75000000  0.74394527  0.36465608  1.0
  P  P11  1  0.25000000  0.25605473  0.63534392  1.0
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