导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th3Zn2GaNi3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3230082 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Th3Zn2GaNi3
MP-ID
mp-3230082
元素数
4
位点数
9
密度
10.3941
g/cm³
体积
171.38
ų
晶胞参数 a
7.0724
Å
晶胞参数 b
7.1028
Å
晶胞参数 c
3.9338
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.86
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
14.38 6.1600 2.5 (0,1,0)
14.44 6.1336 2.8 (1,-1,0)
14.44 6.1336 2.8 (1,0,0)
22.60 3.9338 27.6 (0,0,1)
25.07 3.5514 27.9 (1,-2,0)
25.18 3.5362 15.4 (2,-1,0)
26.89 3.3154 4.2 (0,1,1)
26.93 3.3113 7.0 (1,-1,1)
28.99 3.0800 15.2 (0,2,0)
29.12 3.0668 29.4 (2,-2,0)
34.01 2.6361 100.0 (1,-2,1)
34.09 2.6298 53.5 (2,-1,1)
37.07 2.4251 47.7 (0,2,1)
37.17 2.4186 88.8 (2,-2,1)
38.70 2.3268 22.9 (1,-3,0)
38.77 2.3225 25.6 (2,-3,0)
38.90 2.3155 21.5 (3,-2,0)
44.10 2.0533 5.9 (0,3,0)
44.30 2.0445 12.6 (3,-3,0)
45.28 2.0027 4.6 (1,-3,1)
45.35 2.0000 2.7 (2,-3,1)
45.35 2.0000 2.7 (2,1,1)
45.45 1.9955 4.9 (3,-2,1)
46.15 1.9669 34.4 (0,0,2)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.49620
eV/atom
能量/原子
-32.23341
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-32.2334
eV/atom
体积/原子
19.04
ų
c/a 比
0.5562

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0005
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.333
元素家族
Actinide
溶质分数
0.667
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3108
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.8979
J/mol·K
Ω 参数
2.3294
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.654%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2570
越小混合越稳定
VEC
7.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-6.871
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9455
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3230082
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th3Zn2GaNi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3230082, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th3Zn2GaNi3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.07238945
_cell_length_b   7.10279793
_cell_length_c   3.93380274
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.85848449
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th3Zn2GaNi3
_chemical_formula_sum   'Th3 Zn2 Ga1 Ni3'
_cell_volume   171.37851616
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.00197720  0.41904968  0.50000000  1.0
  Th  Th1  1  0.58292852  0.58095032  0.50000000  1.0
  Th  Th2  1  0.41596141  0.00000000  0.50000000  1.0
  Zn  Zn3  1  0.00052405  0.76937545  0.00000000  1.0
  Zn  Zn4  1  0.23114860  0.23062455  0.00000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.76995664  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ni  Ni6  1  0.33927561  0.67225684  0.00000000  1.0
  Ni  Ni7  1  0.66701978  0.32774316  0.00000000  1.0
  Ni  Ni8  1  0.99120919  1.00000000  0.50000000  1.0
获取直接链接