Th3Ga3Os2Ru

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3231649 · 空间群: P-62m (#189)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th3Ga3Os2Ru

MP-ID

mp-3231649

元素数

位点数

密度

12.5372

g/cm³

体积

183.68

Å³

晶胞参数 a

7.3309

晶胞参数 b

7.3309

晶胞参数 c

3.9466

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-62m

点群

-6m2

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.95	6.3487	18.7	(1,-1,0,0)
13.95	6.3487	9.3	(1,0,-1,0)
22.53	3.9466	3.9	(0,0,0,1)
24.28	3.6654	9.7	(1,-2,1,0)
24.28	3.6654	19.5	(2,-1,-1,0)
28.11	3.1744	13.2	(2,-2,0,0)
28.11	3.1744	6.6	(2,0,-2,0)
33.36	2.6858	49.3	(1,-2,1,1)
33.36	2.6858	98.7	(2,-1,-1,1)
36.32	2.4735	100.0	(2,-2,0,1)
36.32	2.4735	50.0	(2,0,-2,1)
37.48	2.3996	37.9	(3,-2,-1,0)
37.48	2.3996	19.0	(3,-1,-2,0)
42.73	2.1162	25.0	(3,-3,0,0)
42.73	2.1162	12.5	(3,0,-3,0)
44.17	2.0504	9.0	(2,-3,1,1)
44.17	2.0504	18.0	(3,-1,-2,1)
45.99	1.9733	36.2	(0,0,0,2)
48.30	1.8844	2.9	(1,0,-1,2)
48.83	1.8650	1.1	(3,0,-3,1)
49.75	1.8327	5.2	(2,-4,2,0)
49.75	1.8327	5.2	(2,2,-4,0)
49.75	1.8327	5.2	(4,-2,-2,0)
51.93	1.7608	10.2	(3,-4,1,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.57403

eV/atom

能量/原子

-43.47948

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-43.4795

eV/atom

体积/原子

20.41

Å³

c/a 比

0.5384

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0020

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.333

元素家族

Actinide

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

594.1717

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

14.206%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3685

越小混合越稳定

VEC

4.333

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.034

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahbwof

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3231649

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th3Ga3Os2Ru were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3231649, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th3Ga3Os2Ru
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.33087526
_cell_length_b   7.33087696
_cell_length_c   3.94660797
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000595
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th3Ga3Os2Ru
_chemical_formula_sum   'Th3 Ga3 Os2 Ru1'
_cell_volume   183.68189605
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.00000000  0.41869396  0.50000000  1.0
  Th  Th1  1  0.58130604  0.58130604  0.50000000  1.0
  Th  Th2  1  0.41869396  1.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga3  1  1.00000000  0.76159555  0.00000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.23840445  0.23840445  0.00000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.76159555  0.00000000  0.00000000  1.0
  Os  Os6  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Os  Os7  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Ru  Ru8  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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