AcNd2(GaNi2)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3231661 · 空间群: C2/m (#12)

Materials Project API

基础信息

化学式

AcNd2(GaNi2)2

MP-ID

mp-3231661

元素数

位点数

密度

8.3949

g/cm³

体积

175.99

Å³

晶胞参数 a

4.1638

晶胞参数 b

5.6174

晶胞参数 c

8.2252

α 角

99.25

β 角

90.00

γ 角

111.75

空间群

C2/m

点群

2/m

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.47061

eV/atom

能量/原子

-22.50238

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-22.5024

eV/atom

体积/原子

19.55

Å³

c/a 比

1.9754

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0101

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000060

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ni · 0.444

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.556

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2730

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.5840

J/mol·K

Ω 参数

0.5465

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

19.635%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3558

越小混合越稳定

VEC

6.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-24.608

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9183

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahbwor

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3231661

参考引用

The crystal structure and related material properties of AcNd2(GaNi2)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3231661, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_AcNd2(GaNi2)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.16380894
_cell_length_b   5.61736098
_cell_length_c   8.22521128
_cell_angle_alpha   99.25015272
_cell_angle_beta   89.99999990
_cell_angle_gamma   111.75384452
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   AcNd2(GaNi2)2
_chemical_formula_sum   'Ac1 Nd2 Ga2 Ni4'
_cell_volume   175.98738480
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ac  Ac0  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Nd  Nd1  1  0.62346808  0.24693516  0.88474967  1.0
  Nd  Nd2  1  0.37653192  0.75306484  0.11525033  1.0
  Ga  Ga3  1  0.32011755  0.64023410  0.71975356  1.0
  Ga  Ga4  1  0.67988245  0.35976590  0.28024644  1.0
  Ni  Ni5  1  0.91409862  0.82819824  0.86595876  1.0
  Ni  Ni6  1  0.08590138  0.17180176  0.13404124  1.0
  Ni  Ni7  1  0.74121670  0.48243339  0.58698277  1.0
  Ni  Ni8  1  0.25878330  0.51756661  0.41301723  1.0

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