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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

ThGa2BRu2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3240190 · 空间群: P4/mmm (#123)

基础信息

化学式
ThGa2BRu2
MP-ID
mp-3240190
元素数
4
位点数
6
密度
9.9978
g/cm³
体积
97.07
ų
晶胞参数 a
4.1924
Å
晶胞参数 b
4.1927
Å
晶胞参数 c
5.5225
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/mmm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.65193
eV/atom
能量/原子
-26.41130
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-26.4113
eV/atom
体积/原子
16.18
ų
c/a 比
1.3173

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.2890
μB
磁有序
FM
磁性位点数
2
磁化强度/体积
0.002980
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.333
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.667
间隙分数
0.167
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3297
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0548
J/mol·K
Ω 参数
3.6097
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
19.296%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3097
越小混合越稳定
VEC
4.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-5.249
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9591
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3240190
参考引用

The crystal structure and related material properties of ThGa2BRu2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3240190, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_ThGa2BRu2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.19237202
_cell_length_b   4.19266680
_cell_length_c   5.52245285
_cell_angle_alpha   90.00181354
_cell_angle_beta   89.99860223
_cell_angle_gamma   90.00145844
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ThGa2BRu2
_chemical_formula_sum   'Th1 Ga2 B1 Ru2'
_cell_volume   97.06936296
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.99992396  0.00009021  0.50009852  1.0
  Ga  Ga1  1  0.49996087  0.50001526  0.26955371  1.0
  Ga  Ga2  1  0.49998584  0.50002499  0.73034261  1.0
  B  B3  1  0.00005709  0.99993713  0.00013772  1.0
  Ru  Ru4  1  0.50005034  0.99998190  0.99993384  1.0
  Ru  Ru5  1  0.00001690  0.49994651  0.99993362  1.0
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