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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb2HoGaN

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3240658 · 空间群: P4/mmm (#123)

基础信息

化学式
Tb2HoGaN
MP-ID
mp-3240658
元素数
4
位点数
5
密度
8.8845
g/cm³
体积
105.88
ų
晶胞参数 a
4.6914
Å
晶胞参数 b
4.7507
Å
晶胞参数 c
4.7507
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/mmm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 19)
2θd (Å)Ihkl
18.68 4.7507 7.6 (0,1,0)
18.92 4.6914 3.0 (1,0,0)
26.53 3.3593 1.2 (0,1,1)
26.71 3.3381 3.2 (1,1,0)
32.79 2.7313 100.0 (1,1,1)
37.88 2.3754 37.4 (0,2,0)
38.37 2.3457 18.0 (2,0,0)
42.55 2.1246 1.8 (0,2,1)
42.66 2.1192 1.4 (1,2,0)
43.00 2.1033 1.7 (2,1,0)
46.95 1.9354 1.6 (1,2,1)
54.64 1.6796 12.9 (0,2,2)
55.02 1.6691 25.2 (2,2,0)
58.62 1.5747 1.4 (2,2,1)
65.21 1.4307 27.9 (1,3,1)
65.88 1.4177 13.5 (3,1,1)
68.74 1.3656 12.8 (2,2,2)
80.95 1.1877 4.1 (0,4,0)
82.19 1.1729 2.0 (4,0,0)
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能量属性

形成能/原子
-1.14746
eV/atom
能量/原子
-24.32861
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-24.3286
eV/atom
体积/原子
21.18
ų
c/a 比
1.0126

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0001
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tb · 0.400
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.600
间隙分数
0.200
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3322
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0757
J/mol·K
Ω 参数
1.4080
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
26.661%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.7401
越小混合越稳定
VEC
7.400
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-8.430
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9610
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3240658
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb2HoGaN were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3240658, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb2HoGaN
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.69144305
_cell_length_b   4.75071258
_cell_length_c   4.75071258
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb2HoGaN
_chemical_formula_sum   'Tb2 Ho1 Ga1 N1'
_cell_volume   105.88244493
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Tb  Tb1  1  0.50000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ho  Ho2  1  0.00000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  N  N4  1  0.50000000  0.50000000  0.50000000  1.0
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