Ac(SiOs)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3244668 · 空间群: I4/mmm (#139)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ac(SiOs)2

MP-ID

mp-3244668

元素数

位点数

密度

11.5906

g/cm³

体积

95.08

Å³

晶胞参数 a

6.0199

晶胞参数 b

6.0199

晶胞参数 c

6.0199

α 角

138.42

β 角

138.42

γ 角

60.26

空间群

I4/mmm

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.71484

eV/atom

能量/原子

-39.14593

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-39.1459

eV/atom

体积/原子

19.02

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.400

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.600

间隙分数

0.400

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0549

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.7706

J/mol·K

Ω 参数

10.2754

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

20.565%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.4030

越小混合越稳定

VEC

5.200

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.931

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9602

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahcpuy

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3244668

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ac(SiOs)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3244668, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ac(SiOs)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.01991839
_cell_length_b   6.01991832
_cell_length_c   6.01991795
_cell_angle_alpha   138.42232605
_cell_angle_beta   138.42232741
_cell_angle_gamma   60.25679917
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ac(SiOs)2
_chemical_formula_sum   'Ac1 Si2 Os2'
_cell_volume   95.07618955
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ac  Ac0  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Si  Si1  1  0.35400026  0.35400026  0.00000000  1.0
  Si  Si2  1  0.64599974  0.64599974  1.00000000  1.0
  Os  Os3  1  0.25000000  0.75000000  0.50000000  1.0
  Os  Os4  1  0.75000000  0.25000000  0.50000000  1.0

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