Y3Ho(Si2Os)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3246451 · 空间群: Cm (#8)

Materials Project API

基础信息

化学式

Y3Ho(Si2Os)2

MP-ID

mp-3246451

元素数

位点数

密度

7.8072

g/cm³

体积

196.62

Å³

晶胞参数 a

5.7276

晶胞参数 b

5.7276

晶胞参数 c

9.9985

α 角

116.75

β 角

116.75

γ 角

43.24

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.88146

eV/atom

能量/原子

-24.37023

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-24.3702

eV/atom

体积/原子

19.66

Å³

c/a 比

1.7457

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.3402

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.001730

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.400

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.600

间隙分数

0.400

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2799

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6407

J/mol·K

Ω 参数

0.7056

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

19.356%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3963

越小混合越稳定

VEC

5.200

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-30.903

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9232

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahcsln

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3246451

参考引用

The crystal structure and related material properties of Y3Ho(Si2Os)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3246451, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Y3Ho(Si2Os)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.72758791
_cell_length_b   5.72758761
_cell_length_c   9.99850617
_cell_angle_alpha   116.74692899
_cell_angle_beta   116.74692664
_cell_angle_gamma   43.24238748
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Y3Ho(Si2Os)2
_chemical_formula_sum   'Y3 Ho1 Si4 Os2'
_cell_volume   196.62318926
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Y  Y0  1  0.00691073  0.00691073  0.17759692  1.0
  Y  Y1  1  0.81429841  0.81429841  0.38971485  1.0
  Y  Y2  1  0.18560105  0.18560105  0.61055979  1.0
  Ho  Ho3  1  0.99434364  0.99434364  0.82359313  1.0
  Si  Si4  1  0.64571957  0.64571957  0.05962087  1.0
  Si  Si5  1  0.50148330  0.50148330  0.37500743  1.0
  Si  Si6  1  0.49728449  0.49728449  0.62589525  1.0
  Si  Si7  1  0.35444700  0.35444700  0.93914548  1.0
  Os  Os8  1  0.26974899  0.26974899  0.12593514  1.0
  Os  Os9  1  0.73016483  0.73016483  0.87293414  1.0

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