ThGaCu2Si
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3248385 · 空间群: I4mm (#107)
基础信息
化学式
ThGaCu2Si
MP-ID
mp-3248385
元素数
4
位点数
5
密度
8.8831
g/cm³
体积
85.42
ų
晶胞参数 a
5.7743
Å
晶胞参数 b
5.7743
Å
晶胞参数 c
5.7743
Å
α 角
137.95
°
β 角
137.95
°
γ 角
60.98
°
空间群
I4mm
点群
4mm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.55622
eV/atom
能量/原子
-23.63330
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-23.6333
eV/atom
体积/原子
17.08
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Cu · 0.400
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.600
间隙分数
0.200
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3322
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
11.0757
J/mol·K
Ω 参数
1.4873
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.966%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2336
越小混合越稳定
VEC
6.200
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-10.159
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9610
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3248385
参考引用
The crystal structure and related material properties of ThGaCu2Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3248385, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
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_chemical_formula_sum 'Th1 Ga1 Cu2 Si1'
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_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
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_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Th Th0 1 0.99825149 0.99825149 1.00000000 1.0
Ga Ga1 1 0.62219688 0.62219688 1.00000000 1.0
Cu Cu2 1 0.75324872 0.25324872 0.50000000 1.0
Cu Cu3 1 0.25324872 0.75324872 0.50000000 1.0
Si Si4 1 0.37305318 0.37305318 0.00000000 1.0