Yb(GaAs)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3248706 · 空间群: R-3m (#166)

Materials Project API

基础信息

化学式

Yb(GaAs)2

MP-ID

mp-3248706

元素数

位点数

密度

6.8404

g/cm³

体积

112.23

Å³

晶胞参数 a

3.9745

晶胞参数 b

3.9745

晶胞参数 c

8.5188

α 角

76.51

β 角

103.49

γ 角

120.00

空间群

R-3m

点群

-3m

晶体系统

Trigonal

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.58934

eV/atom

能量/原子

-18.35534

eV/atom

凸包距离

0.2952

eV/atom

未修正能量

-18.3553

eV/atom

体积/原子

22.45

Å³

c/a 比

2.1434

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.400

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.600

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0549

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.7706

J/mol·K

Ω 参数

0.0000

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

16.229%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3944

越小混合越稳定

VEC

5.200

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.000

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9602

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahcvug

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3248706

参考引用

The crystal structure and related material properties of Yb(GaAs)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3248706, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Yb(GaAs)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.97451616
_cell_length_b   3.97451592
_cell_length_c   8.51880357
_cell_angle_alpha   76.50979625
_cell_angle_beta   103.49020336
_cell_angle_gamma   119.99999428
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Yb(GaAs)2
_chemical_formula_sum   'Yb1 Ga2 As2'
_cell_volume   112.23309727
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Yb  Yb0  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga1  1  0.45061036  0.54938964  0.35182909  1.0
  Ga  Ga2  1  0.54939064  0.45060936  0.64817191  1.0
  As  As3  1  0.74210627  0.25789473  0.22631780  1.0
  As  As4  1  0.25789373  0.74210627  0.77368220  1.0

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