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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

HoGaSiRh2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3249242 · 空间群: I4mm (#107)

基础信息

化学式
HoGaSiRh2
MP-ID
mp-3249242
元素数
4
位点数
5
密度
9.2519
g/cm³
体积
84.10
ų
晶胞参数 a
5.7748
Å
晶胞参数 b
5.7748
Å
晶胞参数 c
5.7748
Å
α 角
138.37
°
β 角
138.37
°
γ 角
60.34
°
空间群
I4mm
点群
4mm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-1.05892
eV/atom
能量/原子
-21.33298
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-21.3330
eV/atom
体积/原子
16.82
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Rh · 0.400
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.600
间隙分数
0.200
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3322
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0757
J/mol·K
Ω 参数
2.6993
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.823%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3862
越小混合越稳定
VEC
7.200
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-6.727
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9610
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3249242
参考引用

The crystal structure and related material properties of HoGaSiRh2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3249242, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_HoGaSiRh2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.77484414
_cell_length_b   5.77484447
_cell_length_c   5.77484490
_cell_angle_alpha   138.37084013
_cell_angle_beta   138.37083440
_cell_angle_gamma   60.33551549
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HoGaSiRh2
_chemical_formula_sum   'Ho1 Ga1 Si1 Rh2'
_cell_volume   84.09592340
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.99746759  0.99746759  1.00000000  1.0
  Ga  Ga1  1  0.61857635  0.61857635  0.00000000  1.0
  Si  Si2  1  0.37016210  0.37016210  1.00000000  1.0
  Rh  Rh3  1  0.75689748  0.25689748  0.50000000  1.0
  Rh  Rh4  1  0.25689748  0.75689748  0.50000000  1.0
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