PmNdGa3Si
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3249331 · 空间群: Cm (#8)
基础信息
化学式
PmNdGa3Si
MP-ID
mp-3249331
元素数
4
位点数
6
密度
6.7715
g/cm³
体积
129.11
ų
晶胞参数 a
5.9765
Å
晶胞参数 b
5.9754
Å
晶胞参数 c
5.9754
Å
α 角
139.09
°
β 角
105.55
°
γ 角
88.63
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.81859
eV/atom
能量/原子
-17.82871
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-17.8287
eV/atom
体积/原子
21.52
ų
c/a 比
0.9998
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.500
间隙分数
0.167
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2425
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.3298
J/mol·K
Ω 参数
0.5445
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.804%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3304
越小混合越稳定
VEC
3.500
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-16.651
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8962
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3249331
参考引用
The crystal structure and related material properties of PmNdGa3Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3249331, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
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_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural PmNdGa3Si
_chemical_formula_sum 'Pm1 Nd1 Ga3 Si1'
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_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
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_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Pm Pm0 1 0.00125372 0.00132505 0.99992867 1.0
Nd Nd1 1 0.49852260 0.49877929 0.99974331 1.0
Ga Ga2 1 0.58308429 0.25018637 0.33289892 1.0
Ga Ga3 1 0.08343271 0.74920990 0.33422181 1.0
Ga Ga4 1 0.91783992 0.25072778 0.66711214 1.0
Si Si5 1 0.41586376 0.74976861 0.66609415 1.0