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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

ThGaSiRh3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3250976 · 空间群: Imm2 (#44)

基础信息

化学式
ThGaSiRh3
MP-ID
mp-3250976
元素数
4
位点数
12
密度
10.5691
g/cm³
体积
200.65
ų
晶胞参数 a
6.6983
Å
晶胞参数 b
6.6983
Å
晶胞参数 c
6.6983
Å
α 角
130.14
°
β 角
113.52
°
γ 角
87.49
°
空间群
Imm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-1.04257
eV/atom
能量/原子
-28.72599
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-28.7260
eV/atom
体积/原子
16.72
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Rh · 0.500
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.167
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2425
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.3298
J/mol·K
Ω 参数
2.9755
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.950%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3577
越小混合越稳定
VEC
6.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-6.258
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8962
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3250976
参考引用

The crystal structure and related material properties of ThGaSiRh3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3250976, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_ThGaSiRh3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.69834130
_cell_length_b   6.69834107
_cell_length_c   6.69834208
_cell_angle_alpha   130.13991664
_cell_angle_beta   113.52107460
_cell_angle_gamma   87.49291937
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ThGaSiRh3
_chemical_formula_sum   'Th2 Ga2 Si2 Rh6'
_cell_volume   200.65218938
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.75000000  0.07292228  0.32292228  1.0
  Th  Th1  1  0.25000000  0.94800894  0.69800894  1.0
  Ga  Ga2  1  0.59625232  0.40554245  0.80929013  1.0
  Ga  Ga3  1  0.90374768  0.71303582  0.80929013  1.0
  Si  Si4  1  0.43456144  0.63058659  0.19602514  1.0
  Si  Si5  1  0.06543856  0.26146370  0.19602514  1.0
  Rh  Rh6  1  0.22065578  0.50882047  0.71992340  1.0
  Rh  Rh7  1  0.78889707  0.50882047  0.28816469  1.0
  Rh  Rh8  1  0.46599770  0.47613152  0.44213022  1.0
  Rh  Rh9  1  0.03400230  0.47613152  0.01013483  1.0
  Rh  Rh10  1  0.71110293  0.99926662  0.71992340  1.0
  Rh  Rh11  1  0.27934422  0.99926662  0.28816469  1.0
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