Dy4In2Ga3Si

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3252188 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Dy4In2Ga3Si

MP-ID

mp-3252188

元素数

位点数

密度

8.3175

g/cm³

体积

222.98

Å³

晶胞参数 a

7.1667

晶胞参数 b

7.1667

晶胞参数 c

4.3420

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

90.91

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
12.35	7.1658	2.0	(1,0,0)
17.64	5.0274	1.2	(1,1,0)
20.45	4.3420	4.8	(0,0,1)
23.96	3.7135	1.2	(1,0,1)
24.85	3.5829	4.6	(2,0,0)
26.95	3.3081	14.8	(1,-1,1)
27.14	3.2861	10.2	(1,1,1)
27.66	3.2251	16.7	(2,-1,0)
28.02	3.1846	16.5	(2,1,0)
32.40	2.7635	100.0	(2,0,1)
34.65	2.5890	89.8	(2,-1,1)
34.94	2.5679	87.7	(2,1,1)
35.14	2.5538	8.4	(2,-2,0)
35.72	2.5137	12.6	(2,2,0)
39.58	2.2769	34.9	(3,-1,0)
39.98	2.2554	28.2	(3,1,0)
41.60	2.1710	41.9	(0,0,2)
45.29	2.0021	3.4	(3,-2,0)
46.00	1.9731	3.5	(3,2,0)
49.06	1.8567	1.6	(2,0,2)
50.18	1.8181	1.1	(3,-2,1)
50.69	1.8010	6.5	(2,-1,2)
50.91	1.7938	6.6	(2,1,2)
50.98	1.7915	1.9	(4,0,0)

获取直接链接

能量属性

形成能/原子

-0.76101

eV/atom

能量/原子

-22.37966

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-22.3797

eV/atom

体积/原子

22.30

Å³

c/a 比

0.6059

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Dy · 0.400

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.600

间隙分数

0.100

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2799

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6407

J/mol·K

Ω 参数

2.6100

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

13.676%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2932

越小混合越稳定

VEC

5.900

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-4.148

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9232

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdaye

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3252188

参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy4In2Ga3Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3252188, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick | 拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移

原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Dy4In2Ga3Si
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.16669761
_cell_length_b   7.16669761
_cell_length_c   4.34195418
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.90625879
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy4In2Ga3Si
_chemical_formula_sum   'Dy4 In2 Ga3 Si1'
_cell_volume   222.98162087
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.17442132  0.32750792  0.50000000  1.0
  Dy  Dy1  1  0.82750792  0.67442132  0.50000000  1.0
  Dy  Dy2  1  0.32439391  0.82439391  0.50000000  1.0
  Dy  Dy3  1  0.67377774  0.17377774  0.50000000  1.0
  In  In4  1  0.99986804  0.00109907  0.00000000  1.0
  In  In5  1  0.50109907  0.49986804  0.00000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.87871728  0.37871728  0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.37712720  0.12261099  0.00000000  1.0
  Ga  Ga8  1  0.62261099  0.87712720  0.00000000  1.0
  Si  Si9  1  0.12047652  0.62047652  0.00000000  1.0

获取直接链接