Th2SiNiAs

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3253704 · 空间群: P6_3/mmc (#194)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th2SiNiAs

MP-ID

mp-3253704

元素数

位点数

密度

9.2173

g/cm³

体积

225.47

Å³

晶胞参数 a

4.1530

晶胞参数 b

4.1530

晶胞参数 c

15.0955

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mmc

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
23.57	3.7739	22.8	(0,0,0,4)
24.75	3.5966	4.8	(1,0,-1,0)
24.75	3.5966	2.4	(1,-1,0,0)
25.46	3.4987	61.5	(1,0,-1,1)
25.46	3.4987	30.8	(1,-1,0,1)
30.55	2.9260	100.0	(1,0,-1,3)
34.45	2.6036	90.9	(1,0,-1,4)
38.95	2.3124	38.0	(1,0,-1,5)
43.59	2.0765	24.6	(1,1,-2,0)
43.59	2.0765	49.1	(2,-1,-1,0)
48.23	1.8869	18.0	(0,0,0,8)
49.27	1.8495	7.6	(0,1,-1,7)
49.27	1.8495	15.1	(1,0,-1,7)
50.14	1.8193	13.5	(1,1,-2,4)
50.14	1.8193	6.8	(2,-1,-1,4)
51.15	1.7857	9.8	(2,0,-2,1)
51.15	1.7857	4.9	(2,-2,0,1)
54.16	1.6934	6.9	(0,2,-2,3)
54.16	1.6934	13.7	(2,0,-2,3)
54.95	1.6709	1.9	(1,0,-1,8)
56.70	1.6234	7.3	(0,2,-2,4)
56.70	1.6234	14.6	(2,0,-2,4)
59.87	1.5450	3.7	(0,2,-2,5)
59.87	1.5450	3.7	(2,0,-2,5)

获取直接链接

能量属性

形成能/原子

-1.17005

eV/atom

能量/原子

-37.65276

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-37.6528

eV/atom

体积/原子

22.55

Å³

c/a 比

3.6349

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0010

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.400

元素家族

Actinide

溶质分数

0.600

间隙分数

0.200

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3322

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

11.0757

J/mol·K

Ω 参数

3.0233

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

21.086%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3558

越小混合越稳定

VEC

4.200

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-6.400

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9610

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahddem

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3253704

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th2SiNiAs were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3253704, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick | 拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移

原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th2SiNiAs
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.15297621
_cell_length_b   4.15297678
_cell_length_c   15.09546336
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99998752
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th2SiNiAs
_chemical_formula_sum   'Th4 Si2 Ni2 As2'
_cell_volume   225.47379865
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.33333300  0.66666700  0.37835685  1.0
  Th  Th1  1  0.66666700  0.33333300  0.62164315  1.0
  Th  Th2  1  0.66666700  0.33333300  0.87835685  1.0
  Th  Th3  1  0.33333300  0.66666700  0.12164315  1.0
  Si  Si4  1  0.33333300  0.66666700  0.75000000  1.0
  Si  Si5  1  0.66666700  0.33333300  0.25000000  1.0
  Ni  Ni6  1  0.00000000  0.00000000  0.25000000  1.0
  Ni  Ni7  1  0.00000000  0.00000000  0.75000000  1.0
  As  As8  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  As  As9  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0

获取直接链接