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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb10Ga3Bi2Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3254348 · 空间群: Fmm2 (#42)

基础信息

化学式
Tb10Ga3Bi2Os
MP-ID
mp-3254348
元素数
4
位点数
16
密度
9.2553
g/cm³
体积
431.78
ų
晶胞参数 a
8.7484
Å
晶胞参数 b
8.7484
Å
晶胞参数 c
8.8418
Å
α 角
125.80
°
β 角
125.80
°
γ 角
79.48
°
空间群
Fmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oF
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
12.86 6.8828 17.2 (1,0,0)
13.16 6.7270 2.3 (1,1,-1)
15.85 5.5931 11.1 (1,-1,0)
20.34 4.3656 9.2 (1,1,0)
20.65 4.3008 4.4 (2,0,-1)
22.20 4.0052 2.4 (1,-1,1)
22.20 4.0052 2.4 (1,-1,-1)
22.72 3.9131 1.3 (2,1,-1)
25.48 3.4953 11.7 (1,0,1)
25.89 3.4414 1.2 (2,0,0)
25.98 3.4291 16.8 (2,-1,0)
30.81 2.9017 18.0 (2,2,-1)
30.81 2.9017 18.0 (2,2,-3)
31.03 2.8824 33.2 (3,1,-2)
31.17 2.8690 19.8 (0,0,2)
31.77 2.8166 96.3 (2,1,0)
32.00 2.7966 17.5 (2,-2,0)
32.18 2.7817 100.0 (3,0,-1)
34.74 2.5823 2.5 (3,-1,-1)
34.83 2.5757 87.4 (3,1,-1)
35.16 2.5528 43.7 (1,-1,2)
35.16 2.5528 43.7 (1,-1,-2)
35.72 2.5139 68.0 (2,-2,1)
37.69 2.3867 1.1 (2,0,1)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.68340
eV/atom
能量/原子
-32.96980
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-32.9698
eV/atom
体积/原子
26.99
ų
c/a 比
1.0107

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.8117
μB
磁有序
FM
磁性位点数
8
磁化强度/体积
0.001880
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tb · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0408
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6535
J/mol·K
Ω 参数
87.7308
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.387%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4190
越小混合越稳定
VEC
7.313
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.133
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7508
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3254348
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb10Ga3Bi2Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3254348, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb10Ga3Bi2Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.74844111
_cell_length_b   8.74844099
_cell_length_c   8.84175283
_cell_angle_alpha   125.80425994
_cell_angle_beta   125.80425437
_cell_angle_gamma   79.48367408
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb10Ga3Bi2Os
_chemical_formula_sum   'Tb10 Ga3 Bi2 Os1'
_cell_volume   431.78190247
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.00853349  0.00603943  0.01457491  1.0
  Tb  Tb1  1  0.49396057  0.49146651  0.98542509  1.0
  Tb  Tb2  1  0.78427030  0.29575921  0.80137074  1.0
  Tb  Tb3  1  0.20424079  0.71572970  0.19862926  1.0
  Tb  Tb4  1  0.48289955  0.99438847  0.19862926  1.0
  Tb  Tb5  1  0.30771804  0.46019995  0.50000000  1.0
  Tb  Tb6  1  0.03980005  0.19228196  0.50000000  1.0
  Tb  Tb7  1  0.50561153  0.01710045  0.80137074  1.0
  Tb  Tb8  1  0.70329121  0.52090205  0.50000000  1.0
  Tb  Tb9  1  0.97909795  0.79670879  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.13552917  0.64272768  0.77825585  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85727232  0.36447083  0.22174415  1.0
  Ga  Ga12  1  0.63259027  0.86740973  0.50000000  1.0
  Bi  Bi13  1  0.24640041  0.25359959  0.00000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.74640041  0.75359959  0.00000000  1.0
  Os  Os15  1  0.37237994  0.12762006  0.50000000  1.0
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