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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V8Ga4Tc3Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3254519 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
V8Ga4Tc3Os
MP-ID
mp-3254519
元素数
4
位点数
16
密度
9.0077
g/cm³
体积
215.81
ų
晶胞参数 a
4.7231
Å
晶胞参数 b
4.7924
Å
晶胞参数 c
9.5342
Å
α 角
89.66
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.40500
eV/atom
能量/原子
-18.49043
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-18.4904
eV/atom
体积/原子
13.49
ų
c/a 比
2.0186

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0043
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.500
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1803
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.8131
J/mol·K
Ω 参数
8.9075
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
0.372%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1576
越小混合越稳定
VEC
4.688
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-2.015
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8514
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3254519
参考引用

The crystal structure and related material properties of V8Ga4Tc3Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3254519, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V8Ga4Tc3Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.72311775
_cell_length_b   4.79242474
_cell_length_c   9.53423083
_cell_angle_alpha   89.66409438
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V8Ga4Tc3Os
_chemical_formula_sum   'V8 Ga4 Tc3 Os1'
_cell_volume   215.80538269
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.75027119  0.99841207  0.25137606  1.0
  V  V1  1  0.75134113  0.99904476  0.74978607  1.0
  V  V2  1  0.00000000  0.49840496  0.12518143  1.0
  V  V3  1  0.00000000  0.50097933  0.62465979  1.0
  V  V4  1  0.50000000  0.24778553  0.00010244  1.0
  V  V5  1  0.50000000  0.25274275  0.50027942  1.0
  V  V6  1  0.24972881  0.99841207  0.25137606  1.0
  V  V7  1  0.24865887  0.99904476  0.74978607  1.0
  Ga  Ga8  1  0.50000000  0.49276112  0.24736891  1.0
  Ga  Ga9  1  0.50000000  0.49310506  0.74825257  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00000000  0.00347377  0.00300423  1.0
  Ga  Ga11  1  0.00000000  0.00640600  0.50278750  1.0
  Tc  Tc12  1  0.00000000  0.50191795  0.37368927  1.0
  Tc  Tc13  1  0.00000000  0.50057066  0.87373228  1.0
  Tc  Tc14  1  0.50000000  0.75191698  0.99892589  1.0
  Os  Os15  1  0.50000000  0.75502025  0.49969001  1.0
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