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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tm10Ga3TcBi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3254614 · 空间群: Fmm2 (#42)

基础信息

化学式
Tm10Ga3TcBi2
MP-ID
mp-3254614
元素数
4
位点数
16
密度
9.8808
g/cm³
体积
405.77
ų
晶胞参数 a
8.5620
Å
晶胞参数 b
8.5620
Å
晶胞参数 c
8.6532
Å
α 角
125.69
°
β 角
125.69
°
γ 角
79.68
°
空间群
Fmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oF
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
13.13 6.7433 4.4 (1,0,0)
15.75 5.6263 2.1 (0,0,1)
16.16 5.4850 8.4 (1,-1,0)
20.78 4.2747 3.8 (1,1,0)
21.09 4.2117 2.0 (2,0,-1)
22.64 3.9275 3.7 (1,-1,1)
26.00 3.4265 21.9 (1,0,1)
26.51 3.3620 30.0 (2,-1,0)
27.13 3.2872 1.3 (2,2,-2)
31.52 2.8383 25.7 (2,2,-1)
31.52 2.8383 25.7 (2,2,-3)
31.74 2.8196 38.9 (3,1,-2)
31.81 2.8132 18.9 (0,0,2)
32.46 2.7582 52.2 (2,1,0)
32.46 2.7582 52.2 (2,1,-3)
32.65 2.7425 23.0 (2,-2,0)
32.88 2.7243 52.8 (0,3,-1)
32.88 2.7243 52.8 (3,0,-1)
35.47 2.5311 1.2 (3,-1,-1)
35.62 2.5208 24.4 (1,3,-1)
35.62 2.5208 73.3 (3,1,-1)
35.88 2.5031 100.0 (1,-1,2)
36.45 2.4652 72.7 (2,-2,1)
40.12 2.2478 2.4 (3,0,0)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.62576
eV/atom
能量/原子
-33.65751
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-33.6575
eV/atom
体积/原子
25.36
ų
c/a 比
1.0107

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0050
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tm · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0408
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6535
J/mol·K
Ω 参数
14.0127
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.387%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3175
越小混合越稳定
VEC
9.625
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.873
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7508
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3254614
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm10Ga3TcBi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3254614, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tm10Ga3TcBi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.56194907
_cell_length_b   8.56194940
_cell_length_c   8.65317230
_cell_angle_alpha   125.68927849
_cell_angle_beta   125.68928188
_cell_angle_gamma   79.67624999
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm10Ga3TcBi2
_chemical_formula_sum   'Tm10 Ga3 Tc1 Bi2'
_cell_volume   405.76977074
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.00921518  0.00439567  0.01361186  1.0
  Tm  Tm1  1  0.49560433  0.49078482  0.98638814  1.0
  Tm  Tm2  1  0.78483475  0.29729361  0.80068352  1.0
  Tm  Tm3  1  0.20270639  0.71516525  0.19931648  1.0
  Tm  Tm4  1  0.48415123  0.99661009  0.19931648  1.0
  Tm  Tm5  1  0.30545935  0.46198320  0.50000000  1.0
  Tm  Tm6  1  0.03801680  0.19454065  0.50000000  1.0
  Tm  Tm7  1  0.50338991  0.01584877  0.80068352  1.0
  Tm  Tm8  1  0.70530897  0.51865283  0.50000000  1.0
  Tm  Tm9  1  0.98134717  0.79469103  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.13784585  0.64405404  0.78190089  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85594596  0.36215415  0.21809911  1.0
  Ga  Ga12  1  0.63346830  0.86653170  0.50000000  1.0
  Tc  Tc13  1  0.37337422  0.12662578  0.50000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.24466579  0.25533421  0.00000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.74466579  0.75533421  0.00000000  1.0
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