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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Dy2Si4Tc7Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3255245 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
Dy2Si4Tc7Os
MP-ID
mp-3255245
元素数
4
位点数
14
密度
9.9078
g/cm³
体积
220.15
ų
晶胞参数 a
7.5968
Å
晶胞参数 b
7.0758
Å
晶胞参数 c
4.0957
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.28
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.61922
eV/atom
能量/原子
-24.46183
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-24.4618
eV/atom
体积/原子
15.73
ų
c/a 比
0.5391

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0113
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000050
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.500
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.286
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1710
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.7357
J/mol·K
Ω 参数
85.9185
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.212%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2584
越小混合越稳定
VEC
5.643
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.246
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8447
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3255245
参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy2Si4Tc7Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3255245, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Dy2Si4Tc7Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.59675838
_cell_length_b   7.07580229
_cell_length_c   4.09570049
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.28128013
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy2Si4Tc7Os
_chemical_formula_sum   'Dy2 Si4 Tc7 Os1'
_cell_volume   220.15419212
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.49922936  0.50176816  0.50000000  1.0
  Dy  Dy1  1  0.00026897  0.00027374  0.00000000  1.0
  Si  Si2  1  0.80396347  0.22573132  0.50000000  1.0
  Si  Si3  1  0.19455547  0.77386446  0.50000000  1.0
  Si  Si4  1  0.30595840  0.27574719  0.00000000  1.0
  Si  Si5  1  0.69363450  0.72701587  0.00000000  1.0
  Tc  Tc6  1  0.34163302  0.07763371  0.50000000  1.0
  Tc  Tc7  1  0.15796212  0.57700608  0.00000000  1.0
  Tc  Tc8  1  0.83969651  0.42363100  0.00000000  1.0
  Tc  Tc9  1  0.89628619  0.64888602  0.50000000  1.0
  Tc  Tc10  1  0.10593013  0.34648858  0.50000000  1.0
  Tc  Tc11  1  0.60383286  0.15259410  0.00000000  1.0
  Tc  Tc12  1  0.39544707  0.84951300  0.00000000  1.0
  Os  Os13  1  0.66160293  0.91984677  0.50000000  1.0
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