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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb2Nd4Ga3Si

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3255343 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Tb2Nd4Ga3Si
MP-ID
mp-3255343
元素数
4
位点数
10
密度
7.0074
g/cm³
体积
268.27
ų
晶胞参数 a
7.7345
Å
晶胞参数 b
7.7345
Å
晶胞参数 c
4.4848
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
89.32
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.44 7.7339 1.1 (1,0,0)
16.11 5.5016 1.2 (1,1,0)
22.92 3.8797 1.0 (1,0,1)
25.63 3.4761 17.0 (1,1,1)
25.63 3.4754 10.3 (2,1,0)
25.75 3.4595 11.9 (1,-1,1)
25.88 3.4423 10.2 (2,-1,0)
30.52 2.9286 100.0 (2,0,1)
32.55 2.7508 9.6 (2,2,0)
32.60 2.7471 59.9 (2,1,1)
32.80 2.7307 60.1 (2,-1,1)
32.95 2.7182 14.7 (2,-2,0)
36.61 2.4545 34.3 (3,1,0)
36.88 2.4370 25.8 (3,-1,0)
38.74 2.3245 1.3 (2,-2,1)
40.22 2.2424 32.8 (0,0,2)
41.88 2.1569 3.3 (3,2,0)
41.96 2.1531 2.7 (3,1,1)
42.20 2.1413 2.4 (3,-1,1)
42.37 2.1333 3.6 (3,-2,0)
46.73 1.9438 1.2 (3,2,1)
48.30 1.8842 3.8 (2,1,2)
48.39 1.8810 8.8 (4,1,0)
48.45 1.8789 3.8 (2,-1,2)
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能量属性

形成能/原子
-0.64634
eV/atom
能量/原子
-22.96904
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-22.9690
eV/atom
体积/原子
26.83
ų
c/a 比
0.5798

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0080
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000030
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Nd · 0.400
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.600
间隙分数
0.100
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2799
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.6407
J/mol·K
Ω 参数
0.6145
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.009%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3470
越小混合越稳定
VEC
4.300
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-19.119
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9232
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3255343
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb2Nd4Ga3Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3255343, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb2Nd4Ga3Si
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.73445976
_cell_length_b   7.73445976
_cell_length_c   4.48474783
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   89.31584658
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb2Nd4Ga3Si
_chemical_formula_sum   'Tb2 Nd4 Ga3 Si1'
_cell_volume   268.26686586
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.00234871  0.99881932  0.00000000  1.0
  Tb  Tb1  1  0.50118068  0.49765129  0.00000000  1.0
  Nd  Nd2  1  0.67228393  0.17491805  0.50000000  1.0
  Nd  Nd3  1  0.32508195  0.82771607  0.50000000  1.0
  Nd  Nd4  1  0.17926301  0.32073699  0.50000000  1.0
  Nd  Nd5  1  0.82367962  0.67632038  0.50000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.11753450  0.61735003  0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.88264997  0.38246550  0.00000000  1.0
  Ga  Ga8  1  0.61444323  0.88555677  0.00000000  1.0
  Si  Si9  1  0.38153239  0.11846761  0.00000000  1.0
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