AlV12Ga2Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3255412 · 空间群: Pmm2 (#25)

Materials Project API

基础信息

化学式

AlV12Ga2Os

MP-ID

mp-3255412

元素数

位点数

密度

7.4312

g/cm³

体积

216.29

Å³

晶胞参数 a

4.7701

晶胞参数 b

4.7507

晶胞参数 c

9.5448

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

Pmm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
9.27	9.5448	64.0	(0,0,1)
18.59	4.7724	21.4	(0,0,2)
18.60	4.7701	23.2	(1,0,0)
18.68	4.7507	21.3	(0,1,0)
20.82	4.2669	20.5	(1,0,1)
20.89	4.2530	19.6	(0,1,1)
26.42	3.3738	16.5	(1,0,2)
26.47	3.3669	18.0	(0,1,2)
26.48	3.3661	19.2	(1,1,0)
28.05	3.1816	4.8	(0,0,3)
28.11	3.1745	16.9	(1,1,1)
32.55	2.7507	19.6	(1,1,2)
33.87	2.6469	6.8	(1,0,3)
33.91	2.6435	4.1	(0,1,3)
37.70	2.3862	46.3	(0,0,4)
37.72	2.3851	46.2	(2,0,0)
37.88	2.3753	45.5	(0,2,0)
38.92	2.3139	4.1	(2,0,1)
38.95	2.3122	6.2	(1,1,3)
39.08	2.3050	4.5	(0,2,1)
42.35	2.1341	10.8	(1,0,4)
42.37	2.1335	65.0	(2,0,2)
42.39	2.1323	64.7	(0,1,4)
42.41	2.1315	11.3	(2,1,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.26436

eV/atom

能量/原子

-15.99422

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-15.9942

eV/atom

体积/原子

13.52

Å³

c/a 比

2.0010

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.5697

μB

磁有序

FiM

磁性位点数

磁化强度/体积

0.002630

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.750

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.250

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.8223

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

6.8363

J/mol·K

Ω 参数

1.7980

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

1.607%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1454

越小混合越稳定

VEC

4.813

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-7.377

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.5931

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdfse

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3255412

参考引用

The crystal structure and related material properties of AlV12Ga2Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3255412, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_AlV12Ga2Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.77009052
_cell_length_b   4.75065556
_cell_length_c   9.54475494
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   AlV12Ga2Os
_chemical_formula_sum   'Al1 V12 Ga2 Os1'
_cell_volume   216.29423641
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Al  Al0  1  0.50000000  0.50000000  0.00015936  1.0
  V  V1  1  0.00000000  0.50000000  0.12165403  1.0
  V  V2  1  0.00000000  0.50000000  0.62928270  1.0
  V  V3  1  0.50000000  0.24754857  0.74950388  1.0
  V  V4  1  0.50000000  0.25034496  0.25000058  1.0
  V  V5  1  0.75546178  0.00000000  0.99702777  1.0
  V  V6  1  0.75568894  0.00000000  0.50322123  1.0
  V  V7  1  0.00000000  0.50000000  0.86917050  1.0
  V  V8  1  0.00000000  0.50000000  0.38071392  1.0
  V  V9  1  0.50000000  0.75245143  0.74950388  1.0
  V  V10  1  0.50000000  0.74965504  0.25000058  1.0
  V  V11  1  0.24453822  0.00000000  0.99702777  1.0
  V  V12  1  0.24431106  0.00000000  0.50322123  1.0
  Ga  Ga13  1  0.50000000  0.50000000  0.49960962  1.0
  Ga  Ga14  1  0.00000000  0.00000000  0.25027616  1.0
  Os  Os15  1  0.00000000  0.00000000  0.74962780  1.0

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