导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Nd10GaSi4Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3255544 · 空间群: I422 (#97)

基础信息

化学式
Nd10GaSi4Ge
MP-ID
mp-3255544
元素数
4
位点数
16
密度
6.4720
g/cm³
体积
435.44
ų
晶胞参数 a
7.8210
Å
晶胞参数 b
9.0144
Å
晶胞参数 c
7.8210
Å
α 角
115.71
°
β 角
90.00
°
γ 角
115.71
°
空间群
I422
点群
422
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
16.03 5.5303 6.1 (1,0,-1)
20.33 4.3673 3.8 (1,-2,1)
21.91 4.0573 4.2 (1,-2,0)
22.74 3.9105 7.7 (2,-1,0)
25.02 3.5593 16.4 (0,2,0)
26.00 3.4274 16.1 (2,-2,0)
26.24 3.3967 76.9 (2,-2,1)
29.85 2.9930 36.8 (1,-3,1)
31.78 2.8156 81.0 (2,-3,1)
31.78 2.8156 81.0 (2,1,-1)
32.38 2.7652 39.8 (2,0,-2)
33.49 2.6757 7.0 (1,-3,0)
34.06 2.6322 100.0 (2,-3,0)
36.32 2.4732 79.6 (3,-1,-1)
37.92 2.3729 12.3 (0,3,0)
38.54 2.3362 3.3 (3,-3,1)
40.87 2.2082 11.0 (2,-4,1)
41.41 2.1806 2.2 (1,-4,1)
42.14 2.1444 4.5 (3,-3,2)
44.67 2.0286 7.4 (2,-4,0)
46.00 1.9729 1.1 (3,-4,2)
46.11 1.9684 3.0 (1,-4,0)
48.41 1.8803 28.2 (4,-3,1)
49.44 1.8434 8.2 (3,0,-3)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.68243
eV/atom
能量/原子
-22.84430
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-22.8443
eV/atom
体积/原子
27.21
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
1.1129
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.002560
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Nd · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9869
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.2051
J/mol·K
Ω 参数
0.3240
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
19.302%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3712
越小混合越稳定
VEC
3.313
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-33.603
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7119
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3255544
参考引用

The crystal structure and related material properties of Nd10GaSi4Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3255544, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Nd10GaSi4Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.82102046
_cell_length_b   9.01440245
_cell_length_c   7.82102046
_cell_angle_alpha   115.70940459
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   115.70940459
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Nd10GaSi4Ge
_chemical_formula_sum   'Nd10 Ga1 Si4 Ge1'
_cell_volume   435.43652061
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Nd  Nd0  1  0.97331490  0.94662980  0.97331490  1.0
  Nd  Nd1  1  0.52668510  0.05337020  0.52668510  1.0
  Nd  Nd2  1  0.52610652  0.71525006  0.67357191  1.0
  Nd  Nd3  1  0.18914554  0.71525006  0.04167915  1.0
  Nd  Nd4  1  0.67357191  0.71525006  0.18914554  1.0
  Nd  Nd5  1  0.04167915  0.71525006  0.52610652  1.0
  Nd  Nd6  1  0.45832085  0.28474994  0.31085446  1.0
  Nd  Nd7  1  0.82642809  0.28474994  0.97389348  1.0
  Nd  Nd8  1  0.31085446  0.28474994  0.82642809  1.0
  Nd  Nd9  1  0.97389348  0.28474994  0.45832085  1.0
  Ga  Ga10  1  0.75000000  0.50000000  0.75000000  1.0
  Si  Si11  1  0.88418795  0.00000000  0.61581205  1.0
  Si  Si12  1  0.11581205  0.00000000  0.38418795  1.0
  Si  Si13  1  0.61581205  0.00000000  0.11581205  1.0
  Si  Si14  1  0.38418795  1.00000000  0.88418795  1.0
  Ge  Ge15  1  0.25000000  0.50000000  0.25000000  1.0
获取直接链接