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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V4TcMoOs2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3255551 · 空间群: Pmmn (#59)

基础信息

化学式
V4TcMoOs2
MP-ID
mp-3255551
元素数
4
位点数
16
密度
11.7370
g/cm³
体积
220.19
ų
晶胞参数 a
6.0443
Å
晶胞参数 b
4.2675
Å
晶胞参数 c
8.5364
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmmn
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.40329
eV/atom
能量/原子
-27.19897
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.1990
eV/atom
体积/原子
13.76
ų
c/a 比
1.4123

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0045
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.500
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2130
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0849
J/mol·K
Ω 参数
1.5181
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
1.171%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2582
越小混合越稳定
VEC
5.875
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-17.164
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8750
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3255551
参考引用

The crystal structure and related material properties of V4TcMoOs2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3255551, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V4TcMoOs2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.04428896
_cell_length_b   4.26753807
_cell_length_c   8.53637343
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00005583
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V4TcMoOs2
_chemical_formula_sum   'V8 Tc2 Mo2 Os4'
_cell_volume   220.18920730
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.00002758  0.75000100  0.12511862  1.0
  V  V1  1  0.49998266  0.75000100  0.12512802  1.0
  V  V2  1  0.99999080  0.25000100  0.37487100  1.0
  V  V3  1  0.50002770  0.25000100  0.37488796  1.0
  V  V4  1  0.49988394  0.75000100  0.62458914  1.0
  V  V5  1  0.00010891  0.75000100  0.62460134  1.0
  V  V6  1  0.50010546  0.25000100  0.87538572  1.0
  V  V7  1  0.99988087  0.25000100  0.87540603  1.0
  Tc  Tc8  1  0.74999670  0.25000100  0.62558340  1.0
  Tc  Tc9  1  0.24999071  0.75000100  0.87441106  1.0
  Mo  Mo10  1  0.75000911  0.25000100  0.12449514  1.0
  Mo  Mo11  1  0.25000114  0.75000100  0.37551105  1.0
  Os  Os12  1  0.24999086  0.25000100  0.12307965  1.0
  Os  Os13  1  0.75001724  0.75000100  0.37692296  1.0
  Os  Os14  1  0.24999431  0.25000100  0.62693563  1.0
  Os  Os15  1  0.74999100  0.75000100  0.87307028  1.0
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