V8Ga3SiTc4
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3255657 · 空间群: Pm (#6)
基础信息
化学式
V8Ga3SiTc4
MP-ID
mp-3255657
元素数
4
位点数
16
密度
8.0604
g/cm³
体积
213.59
ų
晶胞参数 a
4.7627
Å
晶胞参数 b
4.7503
Å
晶胞参数 c
9.4409
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
89.77
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.46608
eV/atom
能量/原子
-16.69591
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.6959
eV/atom
体积/原子
13.35
ų
c/a 比
1.9823
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0017
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.500
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.063
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1803
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.8131
J/mol·K
Ω 参数
3.5783
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
3.191%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1221
越小混合越稳定
VEC
4.563
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-5.104
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8514
固溶体倾向
1
相趋势
SS
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3255657
参考引用
The crystal structure and related material properties of V8Ga3SiTc4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3255657, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V8Ga3SiTc4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 4.76269148
_cell_length_b 4.75030446
_cell_length_c 9.44089922
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 89.76541407
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural V8Ga3SiTc4
_chemical_formula_sum 'V8 Ga3 Si1 Tc4'
_cell_volume 213.59132872
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
V V0 1 0.49993291 0.99869875 0.37778949 1.0
V V1 1 0.50149100 0.99849912 0.87531793 1.0
V V2 1 0.50149100 0.99849912 0.12468207 1.0
V V3 1 0.49993291 0.99869875 0.62221051 1.0
V V4 1 0.25059124 0.50197897 0.00000000 1.0
V V5 1 0.24971006 0.49774664 0.50000000 1.0
V V6 1 0.99965512 0.24762966 0.25288826 1.0
V V7 1 0.99965512 0.24762966 0.74711174 1.0
Ga Ga8 1 0.49485617 0.49382135 0.25022402 1.0
Ga Ga9 1 0.49485617 0.49382135 0.74977598 1.0
Ga Ga10 1 0.00662585 0.00579814 0.00000000 1.0
Si Si11 1 0.00667579 0.00402788 0.50000000 1.0
Tc Tc12 1 0.74701033 0.50268477 0.00000000 1.0
Tc Tc13 1 0.75172743 0.49942456 0.50000000 1.0
Tc Tc14 1 0.99789446 0.75551964 0.25301864 1.0
Tc Tc15 1 0.99789446 0.75551964 0.74698136 1.0