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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb10Ga3TcBi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3255703 · 空间群: Fmm2 (#42)

基础信息

化学式
Tb10Ga3TcBi2
MP-ID
mp-3255703
元素数
4
位点数
16
密度
8.9286
g/cm³
体积
430.43
ų
晶胞参数 a
8.7145
Å
晶胞参数 b
8.7145
Å
晶胞参数 c
8.8200
Å
α 角
125.51
°
β 角
125.51
°
γ 角
79.88
°
空间群
Fmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oF
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
12.87 6.8795 4.2 (1,0,0)
15.39 5.7575 2.7 (0,0,1)
15.84 5.5944 8.9 (1,-1,0)
20.36 4.3616 5.2 (1,1,0)
20.71 4.2894 2.9 (2,0,-1)
22.16 4.0123 3.9 (1,-1,1)
25.42 3.5036 18.2 (1,0,1)
25.98 3.4293 26.3 (2,-1,0)
30.95 2.8896 48.8 (2,2,-1)
31.07 2.8787 19.1 (0,0,2)
31.18 2.8683 36.0 (3,1,-2)
31.80 2.8143 100.0 (2,1,0)
32.00 2.7972 22.9 (2,-2,0)
32.26 2.7753 99.4 (3,0,-1)
34.77 2.5802 1.6 (3,-1,-1)
34.95 2.5674 95.6 (3,1,-1)
35.06 2.5597 97.1 (1,-1,2)
35.69 2.5160 70.4 (2,-2,1)
39.29 2.2932 2.1 (3,0,0)
40.50 2.2272 8.0 (3,3,-3)
41.40 2.1808 4.2 (2,2,0)
41.40 2.1808 4.2 (2,2,-4)
41.67 2.1676 1.3 (3,-2,0)
41.98 2.1524 13.0 (3,2,-1)
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能量属性

形成能/原子
-0.63889
eV/atom
能量/原子
-31.23651
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-31.2365
eV/atom
体积/原子
26.90
ų
c/a 比
1.0121

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0148
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000030
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tb · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0408
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6535
J/mol·K
Ω 参数
12.8412
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.387%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3892
越小混合越稳定
VEC
7.125
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.873
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7508
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3255703
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb10Ga3TcBi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3255703, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb10Ga3TcBi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.71448272
_cell_length_b   8.71448286
_cell_length_c   8.82002470
_cell_angle_alpha   125.50960329
_cell_angle_beta   125.50960216
_cell_angle_gamma   79.87780400
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb10Ga3TcBi2
_chemical_formula_sum   'Tb10 Ga3 Tc1 Bi2'
_cell_volume   430.42904862
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.00819522  0.00545633  0.01365255  1.0
  Tb  Tb1  1  0.49454367  0.49180478  0.98634745  1.0
  Tb  Tb2  1  0.78646496  0.29770333  0.80174754  1.0
  Tb  Tb3  1  0.20229667  0.71353504  0.19825246  1.0
  Tb  Tb4  1  0.48471643  0.99595579  0.19825246  1.0
  Tb  Tb5  1  0.30686339  0.46137397  0.50000000  1.0
  Tb  Tb6  1  0.03862603  0.19313661  0.50000000  1.0
  Tb  Tb7  1  0.50404421  0.01528357  0.80174754  1.0
  Tb  Tb8  1  0.70473507  0.52057660  0.50000000  1.0
  Tb  Tb9  1  0.97942340  0.79526493  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.13837175  0.64517110  0.78354184  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85482890  0.36162825  0.21645816  1.0
  Ga  Ga12  1  0.63136093  0.86863907  0.50000000  1.0
  Tc  Tc13  1  0.37361537  0.12638463  0.50000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.24595500  0.25404500  0.00000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.74595500  0.75404500  0.00000000  1.0
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