V10Si3Ge3N

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3255717 · 空间群: P31m (#157)

Materials Project API

基础信息

化学式

V10Si3Ge3N

MP-ID

mp-3255717

元素数

位点数

密度

6.3690

g/cm³

体积

215.25

Å³

晶胞参数 a

7.1765

晶胞参数 b

7.1765

晶胞参数 c

4.8260

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P31m

点群

晶体系统

Trigonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
14.25	6.2150	2.6	(1,-1,0,0)
14.25	6.2150	1.3	(1,0,-1,0)
18.38	4.8260	11.9	(0,0,0,1)
23.34	3.8118	3.3	(1,0,-1,1)
24.81	3.5883	3.1	(1,-2,1,0)
24.81	3.5883	6.2	(2,-1,-1,0)
31.06	2.8795	7.4	(2,-1,-1,1)
34.32	2.6127	6.7	(2,0,-2,1)
37.26	2.4130	19.1	(0,0,0,2)
38.32	2.3491	6.2	(2,-3,1,0)
38.32	2.3491	30.9	(3,-1,-2,0)
40.09	2.2494	11.4	(1,0,-1,2)
42.81	2.1121	20.0	(2,-3,1,1)
42.81	2.1121	100.0	(3,-1,-2,1)
43.69	2.0717	26.3	(3,-3,0,0)
43.69	2.0717	13.1	(3,0,-3,0)
45.29	2.0024	77.9	(2,-1,-1,2)
47.72	1.9059	9.6	(2,0,-2,2)
50.90	1.7941	1.1	(4,-2,-2,0)
53.13	1.7237	4.4	(4,-3,-1,0)
53.13	1.7237	4.4	(4,-1,-3,0)
54.52	1.6832	1.6	(3,-2,-1,2)
54.52	1.6832	1.6	(3,-1,-2,2)
54.57	1.6817	6.6	(4,-2,-2,1)

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能量属性

形成能/原子

-0.63603

eV/atom

能量/原子

-13.45731

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-13.4573

eV/atom

体积/原子

12.66

Å³

c/a 比

0.6725

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

2.0490

μB

磁有序

FiM

磁性位点数

磁化强度/体积

0.009520

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.588

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.412

间隙分数

0.235

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0910

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.0706

J/mol·K

Ω 参数

0.4069

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.372%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3409

越小混合越稳定

VEC

4.647

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-40.107

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7870

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdgdx

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3255717

参考引用

The crystal structure and related material properties of V10Si3Ge3N were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3255717, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_V10Si3Ge3N
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.17650348
_cell_length_b   7.17650403
_cell_length_c   4.82601866
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00001107
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V10Si3Ge3N
_chemical_formula_sum   'V10 Si3 Ge3 N1'
_cell_volume   215.25111658
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.00000000  0.76534613  0.25969299  1.0
  V  V1  1  0.23465387  0.23465387  0.25969299  1.0
  V  V2  1  0.76534613  0.00000000  0.25969299  1.0
  V  V3  1  0.00000000  0.23462578  0.74063638  1.0
  V  V4  1  0.76537422  0.76537422  0.74063638  1.0
  V  V5  1  0.23462578  0.00000000  0.74063638  1.0
  V  V6  1  0.33333300  0.66666700  0.50553739  1.0
  V  V7  1  0.66666700  0.33333300  0.50553739  1.0
  V  V8  1  0.66666700  0.33333300  0.99379957  1.0
  V  V9  1  0.33333300  0.66666700  0.99379957  1.0
  Si  Si10  1  1.00000000  0.60085573  0.75776621  1.0
  Si  Si11  1  0.39914427  0.39914427  0.75776621  1.0
  Si  Si12  1  0.60085573  1.00000000  0.75776621  1.0
  Ge  Ge13  1  0.00000000  0.40299339  0.24249472  1.0
  Ge  Ge14  1  0.59700661  0.59700661  0.24249472  1.0
  Ge  Ge15  1  0.40299339  0.00000000  0.24249472  1.0
  N  N16  1  0.00000000  0.00000000  0.49955221  1.0

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