YTm3(InGa2)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3255903 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

YTm3(InGa2)2

MP-ID

mp-3255903

元素数

位点数

密度

8.2992

g/cm³

体积

220.94

Å³

晶胞参数 a

7.1107

晶胞参数 b

7.1107

晶胞参数 c

4.3697

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

90.39

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.72060

eV/atom

能量/原子

-22.38110

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-22.3811

eV/atom

体积/原子

22.09

Å³

c/a 比

0.6145

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0133

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000060

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.400

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.600

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2799

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6407

J/mol·K

Ω 参数

1.1545

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.064%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2735

越小混合越稳定

VEC

6.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-8.593

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9232

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdglb

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3255903

参考引用

The crystal structure and related material properties of YTm3(InGa2)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3255903, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_YTm3(InGa2)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.11073296
_cell_length_b   7.11073296
_cell_length_c   4.36973865
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.38605081
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   YTm3(InGa2)2
_chemical_formula_sum   'Y1 Tm3 In2 Ga4'
_cell_volume   220.93999676
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Y  Y0  1  0.82768681  0.67231319  0.50000000  1.0
  Tm  Tm1  1  0.67099426  0.17219843  0.50000000  1.0
  Tm  Tm2  1  0.32780157  0.82900574  0.50000000  1.0
  Tm  Tm3  1  0.17285515  0.32714485  0.50000000  1.0
  In  In4  1  0.00013572  0.99990431  0.00000000  1.0
  In  In5  1  0.50009569  0.49986428  0.00000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.12778375  0.62411323  0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.87588677  0.37221625  0.00000000  1.0
  Ga  Ga8  1  0.62287578  0.87712422  0.00000000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.37388349  0.12611651  0.00000000  1.0

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