Ho10Ga3Bi2Pd

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3256138 · 空间群: Fmm2 (#42)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho10Ga3Bi2Pd

MP-ID

mp-3256138

元素数

位点数

密度

9.4314

g/cm³

体积

419.54

Å³

晶胞参数 a

8.5297

晶胞参数 b

8.5297

晶胞参数 c

8.6991

α 角

124.19

β 角

124.19

γ 角

81.59

空间群

Fmm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
12.95	6.8354	2.4	(1,0,0)
15.20	5.8290	2.1	(0,0,1)
15.90	5.5730	5.5	(1,-1,0)
20.53	4.3269	3.7	(1,1,0)
21.06	4.2190	1.5	(2,0,-1)
22.07	4.0282	5.4	(1,-1,1)
25.23	3.5297	19.4	(1,0,1)
26.10	3.4140	25.4	(2,-1,0)
30.68	2.9145	19.0	(0,0,2)
31.68	2.8244	23.2	(2,2,-1)
31.68	2.8244	23.2	(2,2,-3)
32.04	2.7937	36.9	(3,1,-2)
32.05	2.7926	100.0	(2,1,0)
32.12	2.7865	17.8	(2,-2,0)
32.75	2.7342	95.1	(3,0,-1)
34.74	2.5827	92.3	(1,-1,2)
35.07	2.5585	1.2	(3,-1,-1)
35.64	2.5193	74.9	(3,1,-1)
35.71	2.5140	76.8	(2,-2,1)
41.75	2.1634	8.9	(2,2,0)
41.97	2.1525	7.5	(3,3,-3)
42.81	2.1121	9.1	(3,2,-1)
42.81	2.1121	3.0	(3,2,-4)
42.87	2.1095	5.4	(4,0,-2)

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能量属性

形成能/原子

-0.70889

eV/atom

能量/原子

-32.15306

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-32.1531

eV/atom

体积/原子

26.22

Å³

c/a 比

1.0199

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.2603

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000620

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ho · 0.625

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.375

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0408

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.6535

J/mol·K

Ω 参数

5.3077

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

10.256%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3578

越小混合越稳定

VEC

8.688

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-2.157

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7508

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdguc

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3256138

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho10Ga3Bi2Pd were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3256138, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho10Ga3Bi2Pd
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.52971408
_cell_length_b   8.52971457
_cell_length_c   8.69914427
_cell_angle_alpha   124.19123548
_cell_angle_beta   124.19123529
_cell_angle_gamma   81.59098922
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho10Ga3Bi2Pd
_chemical_formula_sum   'Ho10 Ga3 Bi2 Pd1'
_cell_volume   419.53552201
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.99386359  0.99812466  0.99198826  1.0
  Ho  Ho1  1  0.50187534  0.50613641  0.00801174  1.0
  Ho  Ho2  1  0.78543336  0.29513638  0.79739279  1.0
  Ho  Ho3  1  0.20486362  0.71456664  0.20260721  1.0
  Ho  Ho4  1  0.48804057  0.99774359  0.20260721  1.0
  Ho  Ho5  1  0.29649970  0.47043415  0.50000000  1.0
  Ho  Ho6  1  0.02956585  0.20350030  0.50000000  1.0
  Ho  Ho7  1  0.50225641  0.01195943  0.79739279  1.0
  Ho  Ho8  1  0.70887722  0.51480000  0.50000000  1.0
  Ho  Ho9  1  0.98520000  0.79112278  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.15018016  0.64940313  0.79958229  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85059687  0.34981984  0.20041771  1.0
  Ga  Ga12  1  0.63852014  0.86147986  0.50000000  1.0
  Bi  Bi13  1  0.24668729  0.25331271  0.00000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.74668729  0.75331271  0.00000000  1.0
  Pd  Pd15  1  0.37085159  0.12914841  0.50000000  1.0

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