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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Pr10InGaSi4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3256328 · 空间群: I422 (#97)

基础信息

化学式
Pr10InGaSi4
MP-ID
mp-3256328
元素数
4
位点数
16
密度
6.1380
g/cm³
体积
461.52
ų
晶胞参数 a
7.8801
Å
晶胞参数 b
9.2901
Å
晶胞参数 c
7.8801
Å
α 角
115.10
°
β 角
90.00
°
γ 角
115.10
°
空间群
I422
点群
422
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
12.71 6.9628 1.0 (1,-1,0)
12.72 6.9618 1.0 (1,0,0)
15.90 5.5723 9.2 (1,0,-1)
15.91 5.5719 9.2 (1,-1,1)
22.57 3.9401 9.0 (2,-1,0)
23.95 3.7162 27.2 (0,2,0)
25.59 3.4814 8.0 (2,-2,0)
25.59 3.4809 8.0 (2,0,0)
25.98 3.4292 34.9 (2,-1,-1)
25.98 3.4292 34.9 (2,-2,1)
25.98 3.4291 34.8 (2,0,-1)
25.99 3.4288 34.8 (2,-1,1)
28.88 3.0920 18.8 (1,-3,1)
28.88 3.0917 37.6 (1,2,-1)
28.88 3.0913 18.8 (1,1,1)
31.14 2.8721 62.4 (2,-3,1)
31.14 2.8720 62.4 (2,-2,-1)
31.14 2.8718 62.5 (2,1,-1)
31.15 2.8715 62.5 (2,0,1)
32.13 2.7861 36.4 (2,0,-2)
32.13 2.7860 36.4 (2,-2,2)
32.18 2.7817 9.3 (1,-3,0)
32.18 2.7814 9.3 (1,2,0)
33.13 2.7037 100.0 (2,-3,0)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.61771
eV/atom
能量/原子
-23.31496
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-23.3150
eV/atom
体积/原子
28.85
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.1190
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000260
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Pr · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9869
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.2051
J/mol·K
Ω 参数
7.8997
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
18.126%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3572
越小混合越稳定
VEC
3.250
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.270
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7119
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3256328
参考引用

The crystal structure and related material properties of Pr10InGaSi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3256328, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Pr10InGaSi4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.88012308
_cell_length_b   9.29012969
_cell_length_c   7.88012308
_cell_angle_alpha   115.10173024
_cell_angle_beta   90.00351742
_cell_angle_gamma   115.10173024
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Pr10InGaSi4
_chemical_formula_sum   'Pr10 In1 Ga1 Si4'
_cell_volume   461.52129277
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Pr  Pr0  1  0.97426706  0.94845714  0.97426360  1.0
  Pr  Pr1  1  0.52573640  0.05154286  0.52573294  1.0
  Pr  Pr2  1  0.52704909  0.72120992  0.67211334  1.0
  Pr  Pr3  1  0.19412895  0.72115436  0.04904008  1.0
  Pr  Pr4  1  0.67205325  0.72117704  0.19412224  1.0
  Pr  Pr5  1  0.04902080  0.72113718  0.52697397  1.0
  Pr  Pr6  1  0.45095992  0.27884564  0.30587105  1.0
  Pr  Pr7  1  0.82788666  0.27879008  0.97295091  1.0
  Pr  Pr8  1  0.30587776  0.27882296  0.82794675  1.0
  Pr  Pr9  1  0.97302603  0.27886282  0.45097920  1.0
  In  In10  1  0.75000964  0.50000000  0.74999036  1.0
  Ga  Ga11  1  0.24999163  0.50000000  0.25000837  1.0
  Si  Si12  1  0.88561657  0.00000000  0.61438343  1.0
  Si  Si13  1  0.11437879  0.00000000  0.38562121  1.0
  Si  Si14  1  0.61441093  0.00003991  0.11441348  1.0
  Si  Si15  1  0.38558652  0.99996009  0.88558907  1.0
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