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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

CeThCdSi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3256427 · 空间群: Pmc2_1 (#26)

基础信息

化学式
CeThCdSi2
MP-ID
mp-3256427
元素数
4
位点数
10
密度
7.5313
g/cm³
体积
238.45
ų
晶胞参数 a
7.4253
Å
晶胞参数 b
7.4333
Å
晶胞参数 c
4.3201
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmc2_1
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.62400
eV/atom
能量/原子
-29.01768
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-29.0177
eV/atom
体积/原子
23.84
ų
c/a 比
0.5818

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
2.1167
μB
磁有序
FM
磁性位点数
2
磁化强度/体积
0.008880
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.400
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3322
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0757
J/mol·K
Ω 参数
0.8307
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
19.560%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3184
越小混合越稳定
VEC
5.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-19.070
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9610
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3256427
参考引用

The crystal structure and related material properties of CeThCdSi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3256427, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_CeThCdSi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.42527549
_cell_length_b   7.43333911
_cell_length_c   4.32011941
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   CeThCdSi2
_chemical_formula_sum   'Ce2 Th2 Cd2 Si4'
_cell_volume   238.44722236
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ce  Ce0  1  0.81828477  0.68090306  0.50000000  1.0
  Ce  Ce1  1  0.31828477  0.81909694  0.50000000  1.0
  Th  Th2  1  0.67941938  0.18056180  0.50000000  1.0
  Th  Th3  1  0.17941938  0.31943820  0.50000000  1.0
  Cd  Cd4  1  0.00095077  0.99457093  0.00000000  1.0
  Cd  Cd5  1  0.50095077  0.50542907  0.00000000  1.0
  Si  Si6  1  0.88800844  0.38331690  0.00000000  1.0
  Si  Si7  1  0.38800844  0.11668310  0.00000000  1.0
  Si  Si8  1  0.61333664  0.89063283  0.00000000  1.0
  Si  Si9  1  0.11333664  0.60936717  0.00000000  1.0
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