导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ti3V2Ga2Si

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3256486 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Ti3V2Ga2Si
MP-ID
mp-3256486
元素数
4
位点数
16
密度
5.7442
g/cm³
体积
238.79
ų
晶胞参数 a
7.4256
Å
晶胞参数 b
7.4255
Å
晶胞参数 c
5.0045
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.08
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.55989
eV/atom
能量/原子
-12.89136
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-12.8914
eV/atom
体积/原子
14.92
ų
c/a 比
0.6740

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0053
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ti · 0.375
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.625
间隙分数
0.125
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3209
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.9819
J/mol·K
Ω 参数
0.7050
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
6.953%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1350
越小混合越稳定
VEC
4.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-24.305
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9528
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3256486
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ti3V2Ga2Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3256486, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ti3V2Ga2Si
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.42557225
_cell_length_b   7.42554093
_cell_length_c   5.00447300
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.07522761
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ti3V2Ga2Si
_chemical_formula_sum   'Ti6 V4 Ga4 Si2'
_cell_volume   238.79063657
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ti  Ti0  1  0.75871777  0.75872842  0.75000000  1.0
  Ti  Ti1  1  0.24681498  0.00060418  0.75000000  1.0
  Ti  Ti2  1  0.00064087  0.24683523  0.75000000  1.0
  Ti  Ti3  1  0.24232376  0.24235276  0.25000000  1.0
  Ti  Ti4  1  0.75421680  0.00401287  0.25000000  1.0
  Ti  Ti5  1  0.00405963  0.75423531  0.25000000  1.0
  V  V6  1  0.66743313  0.32912178  0.00397141  1.0
  V  V7  1  0.32912044  0.66743124  0.00398690  1.0
  V  V8  1  0.32912044  0.66743124  0.49601310  1.0
  V  V9  1  0.66743313  0.32912178  0.49602859  1.0
  Ga  Ga10  1  0.40267569  0.40270478  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.59940516  0.99744871  0.75000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.99754800  0.59946010  0.75000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.60174097  0.60177511  0.25000000  1.0
  Si  Si14  1  0.39786694  0.00086044  0.25000000  1.0
  Si  Si15  1  0.00088330  0.39787704  0.25000000  1.0
获取直接链接