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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Nb10Ga3Si3C

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3256964 · 空间群: P31m (#157)

基础信息

化学式
Nb10Ga3Si3C
MP-ID
mp-3256964
元素数
4
位点数
17
密度
7.6040
g/cm³
体积
269.59
ų
晶胞参数 a
7.6727
Å
晶胞参数 b
7.6727
Å
晶胞参数 c
5.2878
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P31m
点群
3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
16.77 5.2878 4.7 (0,0,0,1)
21.48 4.1376 1.1 (1,0,-1,1)
23.19 3.8364 7.9 (2,-1,-1,0)
26.83 3.3224 4.0 (2,0,-2,0)
26.83 3.3224 8.0 (2,-2,0,0)
28.75 3.1052 11.4 (2,-1,-1,1)
31.81 2.8132 2.2 (2,0,-2,1)
33.91 2.6439 12.6 (0,0,0,2)
35.75 2.5115 49.5 (3,-1,-2,0)
36.58 2.4566 29.5 (1,0,-1,2)
39.73 2.2686 100.0 (3,-1,-2,1)
39.73 2.2686 20.0 (2,-3,1,1)
40.74 2.2149 41.9 (3,0,-3,0)
41.48 2.1770 58.1 (2,-1,-1,2)
41.48 2.1770 29.0 (1,-2,1,2)
43.76 2.0688 4.0 (2,0,-2,2)
47.39 1.9182 1.4 (4,-2,-2,0)
49.46 1.8429 2.0 (4,-1,-3,0)
49.46 1.8429 2.0 (4,-3,-1,0)
50.10 1.8209 1.4 (3,-1,-2,2)
50.62 1.8032 6.1 (4,-2,-2,1)
52.59 1.7403 3.3 (4,-1,-3,1)
52.59 1.7403 1.7 (3,-4,1,1)
54.01 1.6979 1.3 (3,0,-3,2)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.61343
eV/atom
能量/原子
-19.31564
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-19.3156
eV/atom
体积/原子
15.86
ų
c/a 比
0.6892

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0007
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Nb · 0.588
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.412
间隙分数
0.235
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0910
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.0706
J/mol·K
Ω 参数
0.5212
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.391%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2355
越小混合越稳定
VEC
4.412
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-38.178
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7870
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3256964
参考引用

The crystal structure and related material properties of Nb10Ga3Si3C were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3256964, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Nb10Ga3Si3C
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.67271780
_cell_length_b   7.67271698
_cell_length_c   5.28776300
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999495
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Nb10Ga3Si3C
_chemical_formula_sum   'Nb10 Ga3 Si3 C1'
_cell_volume   269.58829959
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Nb  Nb0  1  0.00000000  0.76134941  0.25350239  1.0
  Nb  Nb1  1  0.23865059  0.23865059  0.25350239  1.0
  Nb  Nb2  1  0.76134941  0.00000000  0.25350239  1.0
  Nb  Nb3  1  1.00000000  0.23744963  0.74532048  1.0
  Nb  Nb4  1  0.76255037  0.76255037  0.74532048  1.0
  Nb  Nb5  1  0.23744963  1.00000000  0.74532048  1.0
  Nb  Nb6  1  0.33333300  0.66666700  0.99774646  1.0
  Nb  Nb7  1  0.66666700  0.33333300  0.99774646  1.0
  Nb  Nb8  1  0.66666700  0.33333300  0.50136460  1.0
  Nb  Nb9  1  0.33333300  0.66666700  0.50136460  1.0
  Ga  Ga10  1  1.00000000  0.40070708  0.24416990  1.0
  Ga  Ga11  1  0.59929292  0.59929292  0.24416990  1.0
  Ga  Ga12  1  0.40070708  1.00000000  0.24416990  1.0
  Si  Si13  1  0.00000000  0.59985489  0.75824440  1.0
  Si  Si14  1  0.40014511  0.40014511  0.75824440  1.0
  Si  Si15  1  0.59985489  0.00000000  0.75824440  1.0
  C  C16  1  0.00000000  0.00000000  0.49806437  1.0
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