V3Ga(SiRh5)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3257415 · 空间群: Pm (#6)

Materials Project API

基础信息

化学式

V3Ga(SiRh5)2

MP-ID

mp-3257415

元素数

位点数

密度

10.1535

g/cm³

体积

213.88

Å³

晶胞参数 a

3.9106

晶胞参数 b

5.3090

晶胞参数 c

10.3032

α 角

88.99

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.62560

eV/atom

能量/原子

-20.16443

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-20.1644

eV/atom

体积/原子

13.37

Å³

c/a 比

2.6347

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.6417

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.003000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Rh · 0.625

元素家族

4d-TM

溶质分数

0.375

间隙分数

0.125

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0408

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.6535

J/mol·K

Ω 参数

0.7729

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

4.283%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2675

越小混合越稳定

VEC

7.250

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-22.811

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7508

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdirf

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3257415

参考引用

The crystal structure and related material properties of V3Ga(SiRh5)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3257415, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_V3Ga(SiRh5)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.91063966
_cell_length_b   5.30901625
_cell_length_c   10.30315619
_cell_angle_alpha   88.98914367
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V3Ga(SiRh5)2
_chemical_formula_sum   'V3 Ga1 Si2 Rh10'
_cell_volume   213.87722690
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.50000000  0.17112324  0.64261100  1.0
  V  V1  1  0.50000000  0.83537103  0.35412473  1.0
  V  V2  1  0.50000000  0.66274696  0.86014158  1.0
  Ga  Ga3  1  0.50000000  0.34200058  0.14541019  1.0
  Si  Si4  1  0.00000000  0.49886434  0.50313225  1.0
  Si  Si5  1  0.00000000  0.97687358  0.99392885  1.0
  Rh  Rh6  1  0.50000000  0.31361496  0.40178416  1.0
  Rh  Rh7  1  0.50000000  0.69122039  0.60575984  1.0
  Rh  Rh8  1  0.50000000  0.81779170  0.10366031  1.0
  Rh  Rh9  1  0.50000000  0.17926152  0.89111913  1.0
  Rh  Rh10  1  0.00000000  0.42238898  0.73906065  1.0
  Rh  Rh11  1  0.00000000  0.59849958  0.27103447  1.0
  Rh  Rh12  1  0.00000000  0.92183897  0.75803289  1.0
  Rh  Rh13  1  0.00000000  0.08533041  0.23294286  1.0
  Rh  Rh14  1  0.00000000  0.48680066  0.00065781  1.0
  Rh  Rh15  1  0.00000000  0.99627209  0.49660126  1.0

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