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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

AlV7Ga3Tc5

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3257660 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
AlV7Ga3Tc5
MP-ID
mp-3257660
元素数
4
位点数
16
密度
8.2922
g/cm³
体积
216.82
ų
晶胞参数 a
4.7576
Å
晶胞参数 b
4.7707
Å
晶胞参数 c
9.5530
Å
α 角
90.20
°
β 角
89.90
°
γ 角
90.13
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.43515
eV/atom
能量/原子
-17.27958
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-17.2796
eV/atom
体积/原子
13.55
ų
c/a 比
2.0080

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0016
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.438
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.563
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2123
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0792
J/mol·K
Ω 参数
23.4109
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
1.559%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1234
越小混合越稳定
VEC
4.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.788
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8745
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3257660
参考引用

The crystal structure and related material properties of AlV7Ga3Tc5 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3257660, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_AlV7Ga3Tc5
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.75757102
_cell_length_b   4.77073379
_cell_length_c   9.55295703
_cell_angle_alpha   90.20461926
_cell_angle_beta   89.90267149
_cell_angle_gamma   90.12869256
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   AlV7Ga3Tc5
_chemical_formula_sum   'Al1 V7 Ga3 Tc5'
_cell_volume   216.82222762
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Al  Al0  1  0.49760101  0.49895166  0.99855180  1.0
  V  V1  1  0.75296953  0.00388386  0.50066113  1.0
  V  V2  1  0.99874287  0.49892249  0.87610555  1.0
  V  V3  1  0.00271378  0.49994739  0.37319664  1.0
  V  V4  1  0.49946916  0.75042665  0.75022784  1.0
  V  V5  1  0.49964394  0.75163534  0.24984542  1.0
  V  V6  1  0.24877733  0.99627170  0.00057154  1.0
  V  V7  1  0.24957856  0.00409375  0.50051680  1.0
  Ga  Ga8  1  0.50137367  0.50909954  0.49780517  1.0
  Ga  Ga9  1  0.00115247  0.99649964  0.75098495  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00114612  0.99615373  0.25395487  1.0
  Tc  Tc11  1  0.00031773  0.49889130  0.12345194  1.0
  Tc  Tc12  1  0.00122126  0.49988376  0.62454403  1.0
  Tc  Tc13  1  0.49950403  0.25023934  0.74855736  1.0
  Tc  Tc14  1  0.50092409  0.24777257  0.25096190  1.0
  Tc  Tc15  1  0.74486546  0.99732927  0.00006607  1.0
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